[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上通过一次构图工艺形成包括像素电极和薄膜晶体管源极的图形，其中，所述像素电极设于所述源极所在层的下层；

在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管漏极、有源层、栅极绝缘层和栅极的图形，其中，所述有源层覆盖所述源、漏极，并通过栅极绝缘层与栅极隔开；

在完成上述步骤的基底上，通过一次构图工艺形成包括钝化层、公共电极，以及栅线的图形，其中，所述公共电极为狭缝电极，并通过钝化层与所述有源层和像素电极隔开。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在基底上通过一次构图工艺形成包括像素电极和薄膜晶体管源极的图形具体包括：

在基底上依次形成第一透明导电薄膜和源漏金属薄膜；

在完成上述步骤的基底上涂覆第一光刻胶层，进行曝光形成第一光刻胶保留区和第一光刻胶去除区，进行显影将第一光刻胶去除区的光刻胶完全去除，第一光刻胶保留区的光刻胶完全保留；

对完成上述步骤的基底采用湿法刻蚀，将第一光刻胶去除区的源漏金属薄膜以及第一透明导电薄膜去除；

将完成上述步骤的基底上的剩余光刻胶剥离，形成包括像素电极、薄膜晶体管源极的图形的同时还形成包括数据线的图形，以及位于所述像素电极上方的剩余的源漏金属薄膜。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管漏极、有源层、栅极绝缘层和栅极的图形具体包括：

在形成有像素电极、薄膜晶体管源极、数据线，以及位于所述像素电极上方的剩余的源漏金属薄膜的基底上依次形成有源层薄膜、栅极绝缘层薄膜和栅极金属薄膜；

在完成上述步骤的基底上涂覆第二光刻胶层，进行曝光形成第二光刻胶保留区和第二光刻胶去除区，进行显影将第二光刻胶去除区的光刻胶完全去除，第二光刻胶保留区的光刻胶完全保留；

对完成上述步骤的基底采用湿法刻蚀，将第二光刻胶去除区的栅极金属薄膜去除，采用干法刻蚀，将第二光刻胶去除区的栅极绝缘层薄膜去除，采用湿法刻蚀，将第二光刻胶去除区的有源层薄膜以及剩余的源漏金属层薄膜去除；

将完成上述步骤的基底上的剩余光刻胶剥离，形成包括薄膜晶体管漏极、有源层、栅极绝缘层、栅极的图形，以及位于数据线上方的剩余的栅极金属薄膜、剩余的栅极绝缘层薄膜、剩余的有源层薄膜。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成包括钝化层、公共电极，以及栅线的图形具体包括：

在形成有薄膜晶体管漏极、有源层、栅极绝缘层、栅极和栅线的基底上依次形成钝化层薄膜和第二透明导电薄膜；

在完成上述步骤的基底上涂覆第三光刻胶层，进行曝光形成第三光刻胶保留区和第三光刻胶去除区，进行显影将第三光刻胶去除区的光刻胶完全去除，第三光刻胶保留区的光刻胶完全保留；

对完成上述步骤的基底采用湿法刻蚀，将第三光刻胶去除区的第二透明导电薄膜去除，采用干法刻蚀，将第三光刻胶去除区的钝化层薄膜去除，采用湿法刻蚀，将第三光刻胶去除区的剩余的栅极金属薄膜去除，采用干法刻蚀，将第三光刻胶去除区的剩余的栅极绝缘层薄膜去除，采用湿法刻蚀，将第三光刻胶去除区的剩余的有源层薄膜去除；

将完成上述步骤的基底上的剩余光刻胶剥离，形成包括钝化层、公共电极，以及栅线的图形。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，通过构图工艺形成栅线的图形具体包括：

将位于所述数据线上方的剩余的栅极金属薄膜形成隔断，用于形成与所述数据线上方的剩余的栅极金属薄膜断开的栅线的图形。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料为金属氧化物、非晶硅、多晶硅中任意一种。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为氧化铟锡、氧化铟镓锡、氧化铟锌、氧化铝锌中任意一种。