[发明专利]掩膜的沉积方法、掩膜及半导体器件的刻蚀方法

摘要

本申请公开了一种掩膜的沉积方法、掩膜及半导体器件的刻蚀方法。其中，该沉积方法包括以下步骤沉积步骤，向反应室通入待反应气体，并打开等离子发生器，以在半导体基材上沉积所述掩膜；以及等离子处理步骤，停止通入待反应气体，在等离子体发生器保持打开状态下，抽空反应室，通入非反应气体以对掩膜进行等离子处理；重复进行沉积步骤和等离子处理步骤多次以形成所需掩膜。上述方法中通过在保持等离子发生器处于打开状态下将反应室中气体将更换为非反应气体，以终止沉积反应，避免了在掩膜表面上残留待反应气体的化学键团而形成的成核中心，从而提高了所形成掩膜的质量。

主权项

一种掩膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积步骤：向反应室通入待反应气体，并打开等离子发生器，以在半导体基材上沉积所述掩膜；以及等离子处理步骤：停止通入所述待反应气体，在所述等离子发生器保持打开状态下，抽空所述反应室，通入非反应气体以对所述掩膜进行等离子处理；重复进行所述沉积步骤和等离子处理步骤多次以形成所需掩膜。