[发明专利]掩膜的沉积方法、掩膜及半导体器件的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410127676.7 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104947085B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/04;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 半导体器件 刻蚀 | ||
1.一种掩膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
沉积步骤：向反应室通入待反应气体，并打开等离子发生器，以在半导体基材上沉积所述掩膜；以及
等离子处理步骤：停止通入所述待反应气体，在所述等离子发生器保持打开状态下，抽空所述反应室，通入非反应气体以对所述掩膜进行等离子处理；
重复进行所述沉积步骤和等离子处理步骤多次以形成所需掩膜。
2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，重复所述沉积步骤和等离子处理步骤4次以形成所述所需掩膜。
3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述等离子处理步骤中反应室内压力低于所述沉积步骤中反应室内压力。
4.根据权利要求3所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积步骤中反应室内压力为1～15torr，所述等离子处理步骤中反应室内压力为1～3torr。
5.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述等离子处理步骤中处理时间不少于1秒。
6.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述等离子处理步骤中处理时间为1～15秒。
7.根据权利要求5所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积步骤中沉积掩膜的时间为1～10秒。
8.根据权利要求7所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积步骤中沉积掩膜的时间为1～3秒。
9.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述掩膜为含硅薄膜。
10.根据权利要求9所述的沉积方法，其特征在于，
所述含硅薄膜为SiO2，所述待反应气体包括硅前驱体和氧气；
所述含硅薄膜为SiN，所述待反应气体包括硅前驱体和氨气；
所述含硅薄膜为SiON，所述待反应气体包括硅前驱体、氨气和氧气。
11.根据权利要求10所述的沉积方法，其特征在于，所述硅前驱体选自硅烷、三甲基硅烷或四甲基硅烷。
12.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述非反应气体选自He、N2和N2O中的一种或多种。
13.一种掩膜，其特征在于，所述掩膜由权利要求1至12中任一项所述的掩膜的沉积方法制作而成。
14.一种半导体器件的刻蚀方法，包括在待刻蚀器件上形成图形化掩膜，以及依照所述掩膜中图形刻蚀待刻蚀器件的步骤，其特征在于，形成所述图形化掩膜的步骤包括采用权利要求1至12中任一项所述的掩膜的沉积方法制作掩膜的步骤。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
