[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410126012.9 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104952915A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王裕平;郑志祥;林毓翔;陈炫旭;陈建豪;叶宜函 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一栅结构与一第二栅结构、与一第二介电间隙壁。相邻近的第一栅结构与第二栅结构各包括一第一介电间隙壁。第二介电间隙壁位于第一栅结构的相对侧壁其中一个上的第一介电间隙壁上，且并未配置在第二栅结构的第一介电间隙壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：相邻近的一第一栅结构与一第二栅结构，各包括第一介电间隙壁；以及第二介电间隙壁，位于该第一栅结构的相对侧壁其中一个上的该第一介电间隙上，且并未配置在该第二栅结构的该第一介电间隙壁上。
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