[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410126012.9 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104952915A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王裕平;郑志祥;林毓翔;陈炫旭;陈建豪;叶宜函 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，特别是涉及一种金属氧化半导体及其制造方法。
背景技术
为了在半导体芯片上形成一设计的集成电路，一般是制作一光掩模，并在光掩模上形成一设计的布局图案，再通过黄光光刻制作工艺将光掩模上的图案转移到半导体结构表面的光致抗蚀剂层上，进而将集成电路的布局图案转移到半导体结构上。所以光刻制作工艺可说是半导体制作工艺中非常重要的关键步骤。
由于在光掩模上所能制作出的图案的临界尺寸会受限于曝光机台的分辨率极限，因此当集成度逐渐提高，电路图案设计越来越小，在对这些高密度排列的光掩模进行曝光制作工艺以进行图案转移时，很容易产生光学接近效应，造成图案转移的偏差或是图案变形而影响产品电性特征。
发明内容
为解决上述问题，根据一实施例，提出一种半导体结构，包括一第一栅结构与一第二栅结构、与一第二介电间隙壁。相邻近的第一栅结构与第二栅结构各包括一第一介电间隙壁。第二介电间隙壁位于第一栅结构的相对侧壁其中一个上的第一介电间隙壁上，且并未配置在第二栅结构的第一介电间隙壁上。
根据另一实施例，提出一种制造方法，包括以下步骤。形成相邻近的第一栅结构与第二栅结构，各包括一第一介电间隙壁。形成第二介电间隙壁于第一栅结构的相对侧壁其中一个上的第一介电间隙壁上，且第二介电间隙壁并未配置在第二栅结构的第一介电间隙壁上。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：
附图说明
图1至图4绘示根据实施例的半导体结构的制造方法。
主要元件符号说明
102：第一栅结构
104：第二栅结构
106：半导体基底
107：凹口
108：栅介电质
110：栅电极
112：第一介电间隙壁
114：盖层
116、118：源/漏极
120：隔离结构
122：主动区域（有源区域）
124：外侧区域
126：第二介电间隙壁
128：介电层
130：开口
132：掩模层
134、136：侧壁
138：空隙
140：导电接触
142：金属硅化物
144：介电层
146：导电插塞
T1、Ｔ2：厚度
具体实施方式
图1至图4绘示根据实施例的半导体结构的制造方法。
请参照图1，第一栅结构102与第二栅结构104形成于半导体基底106上。半导体基底106例如、但不限于硅基底，也可选择其他合适的基底结构，例如绝缘层上覆硅等。第一栅结构102与第二栅结构104各包括形成于半导体基底106上的栅介电质108、形成在栅介电质108上的栅电极110、以及形成在栅电极110上的第一介电间隙壁112。
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