[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410126012.9 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104952915A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王裕平;郑志祥;林毓翔;陈炫旭;陈建豪;叶宜函 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
相邻近的一第一栅结构与一第二栅结构，各包括第一介电间隙壁；以及
第二介电间隙壁，位于该第一栅结构的相对侧壁其中一个上的该第一介电间隙上，且并未配置在该第二栅结构的该第一介电间隙壁上。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电间隙壁厚于该第二介电间隙壁。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电间隙壁是氮化物，包括SiN、SiCN、SiCNO、或SiON。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二介电间隙壁是金属氧化物或高介电常数(high k)材料。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一栅结构与该第二栅结构各包括栅介电质与栅电极位于该栅介电质上，该栅介电质是高介电常数材料，该栅电极是金属材料。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该栅介电质与该第二介电间隙壁是相同材料。
7.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第一栅结构与该第二栅结构各还包括一盖层于该栅电极的一上表面上。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其是鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor)。
9.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一隔离结构于该第二介电间隙壁下方。
10.如权利要求1所述的半导体结构，还包括隔离结构，邻近该第一栅结构的该相对侧壁中具有该第二介电间隙壁于其上的该一个侧。
11.一种制造方法，包括：
形成相邻近的一第一栅结构与一第二栅结构，各包括一第一介电间隙壁；以及
形成一第二介电间隙壁于该第一栅结构的相对侧壁其中一个上的该第一介电间隙上，且该第二介电间隙壁并未配置在该第二栅结构的该第一介电间隙壁上。
12.如权利要求11所述的制造方法，其中该第一介电间隙壁厚于该第二介电间隙壁。
13.如权利要求11所述的制造方法，其中该第一介电间隙壁是氮化物，包括SiN、SiCN、SiCNO、或SiON。
14.如权利要求11所述的制造方法，其中该第二介电间隙壁是金属氧化物或高介电常数材料。
15.如权利要求11所述的制造方法，其中该第一栅结构与该第二栅结构各包括一栅介电质与一栅电极位于该栅介电质上，该栅介电质是高介电常数材料，该栅电极是金属材料。
16.如权利要求15所述的制造方法，其中该栅介电质与该第二介电间隙壁是相同材料。
17.如权利要求15所述的制造方法，其中该第一栅结构与该第二栅结构各还包括一盖层形成于该栅电极的一上表面上。
18.如权利要求11所述的制造方法，其是用以形成鳍式场效晶体管。
19.如权利要求11所述的制造方法，还包括形成一隔离结构于该第二介电间隙壁下方。
20.如权利要求11所述的制造方法，还包括形成一隔离结构邻近该第一栅结构的该相对侧壁中具有该第二介电间隙壁于其上的该一个侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410126012.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
