[发明专利]改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法有效
| 申请号： | 201410124234.7 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103872579A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 尧舜;高祥宇;王智勇;潘飞;贾冠男;李峙 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 昝美琪 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元或阵列器件芯片，主要步骤包括：选取单个或多个发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光单元或阵列器件芯片；将所述一个或各发光单元电流注入区按一定方式进行光刻、蒸镀；根据特定要求，将所述半导体激光单元或阵列器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光单元或阵列器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。本发明直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅使半导体激光单元或阵列器件芯片获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，还避免其结构的复杂化。 | ||
| 搜索关键词： | 改变 半导体激光器 芯片 方向 分布 方法 | ||
【主权项】：
改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元器件芯片，主要步骤包括：选取发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光单元器件芯片；将所述发光单元电流注入区按一定方式进行光刻、蒸镀；根据特定要求，将所述半导体激光单元器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光单元器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。
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