[发明专利]改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法

权利要求书

1.改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元器件芯片，主要步骤包括：

选取发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光单元器件芯片；

将所述发光单元电流注入区按一定方式进行光刻、蒸镀；

根据特定要求，将所述半导体激光单元器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光单元器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光单元具有精细结构的电流注入区，是半导体激光单元器件芯片的电流注入区具有均匀的至少两个波浪形结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使半导体激光单元器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布，是通过改变所述发光单元的电流注入区的精细结构，获得半导体激光单元器件芯片慢轴方向光场分布为平顶化的光场分布。

4.改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于阵列器件芯片，主要步骤包括：

选取多个发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光阵列器件芯片；

将各发光单元电流注入区按一定方式依次排列进行光刻、蒸镀；

根据特定要求，将所述半导体激光阵列器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光阵列器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述阵列器件各发光单元的电流注入区的排列方式为按照从左至右依次排列。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述半导体激光阵列器件芯片的电流注入区为均匀的至少两个波浪形结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述使半导体激光阵列器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布，是通过改变各发光单元的电流注入区的精细结构，获得半导体激光阵列器件芯片慢轴方向光场分布为平顶化的光场分布。