[发明专利]改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体激光技术领域，尤其涉及一种改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法。

背景技术

由于半导体激光器具有体积小、重量轻、光电转换效率高等优点，其在激光加工、军事国防、医疗卫生等领域中的应用越来越广泛。半导体激光器的慢轴方向模式复杂，该方向的光场分布是半导体激光器一项重要的特性，对半导体激光器的应用具有重要的参考意义。不同的应用领域对其慢轴的光场分布也会有不同的要求。近年来，市场上常见的半导体激光器慢轴方向的光场分布，多是单峰或者双峰结构的分布，然而这两种分布不能满足某些特定的使用要求。这就限制了半导体激光器在某些特定领域的应用。

目前，有关改变半导体激光器慢轴方向光场分布的方法较少见，现有的这些方法多以光束整形为主。然而，对于许多特殊的光场分布，无法仅靠光束整形的方法获得，而且使用光束整形方法，势必会使半导体激光器结构变得更加复杂，不利于其小型化。

发明内容

本发明的目的在于克服上述技术缺陷，提供一种改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元或阵列器件芯片，不仅可以获得特定要求的慢轴方向光场分布，而且还能避免半导体激光器结构的复杂化。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

根据本发明的一个方面，提供一种改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元器件芯片，主要步骤包括：

选取发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光单元器件芯片；

将所述发光单元电流注入区按一定方式进行光刻、蒸镀；

根据特定要求，将所述半导体激光单元器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光单元器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。

较佳的是，所述发光单元具有精细结构的电流注入区，是半导体激光单元器件芯片的电流注入区具有均匀的至少两个波浪形结构。

较佳的是，所述使半导体激光单元器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布，是通过改变所述发光单元的电流注入区的精细结构，获得半导体激光单元器件芯片慢轴方向光场分布为平顶化的光场分布。

根据本发明的另一个方面，提供一种改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于阵列器件芯片，主要步骤包括：

选取多个发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光阵列器件芯片；

将各发光单元电流注入区按一定方式依次排列进行光刻、蒸镀；

根据特定要求，将所述半导体激光阵列器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光阵列器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。

较佳的是，所述阵列器件各发光单元的电流注入区的排列方式为按照从左至右依次排列。

较佳的是，所述半导体激光阵列器件芯片的电流注入区为均匀的至少两个波浪形结构。

较佳的是，所述使半导体激光阵列器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布，是通过改变各发光单元的电流注入区的精细结构，获得半导体激光阵列器件芯片慢轴方向光场分布为平顶化的光场分布。

与现有技术相比，本发明利用半导体激光单元或阵列器件芯片的电流注入区不同的半导体激光器件，其慢轴方向光场分布不同的原理，通过改变发光单元的电流注入区的结构，使半导体激光单元或阵列器件芯片慢轴方向光场按特定要求分布，从而满足特定的使用要求。该方法直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅可以使半导体激光单元或阵列器件芯片获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高了激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，而且还避免了其结构的复杂化，使其得到更加广泛的应用。

以下将结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明，该实施例仅用于解释本发明。并不对本发明的保护范围构成限制。

附图说明

图1为现有正常单个发光单元的电流注入区结构示意图；

图2为图1所示现有正常的半导体激光单元器件芯片慢轴方向的光场分布示意图，以双峰为例；

图3为根据本发明的一个方面的实施例，细化后的单个发光单元的电流注入区结构示意图；

图4为图3所示细化后的半导体激光单元器件芯片慢轴方向的光场分布示意图；

图5为现有正常多个发光单元的电流注入区结构示意图，图中示出四个；

图6为根据本发明的另一个方面的实施例，细化后的多个发光单元的电流注入区结构示意图，图中示出四个；