[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410123623.8 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104952923A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 罗宗仁;刘兴潮;黄志仁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基板，其具有一隔离区及由隔离区所定义的一主动区。至少一沟槽，形成于主动区内，且沿一第一方向延伸。一栅极层，设置于主动区上且沿一第二方向延伸，而顺应性填入至少一沟槽的侧壁及底部上。通过在主动区中沿第一方向形成第二沟槽，并使沿着第二方向延伸的栅极层顺应性填入第二沟槽内，半导体装置的栅极沟道宽度可进一步增加，且主动区仍可维持原先的设计尺寸。据此，可在维持相同芯片尺寸的前提下，有效提升半导体装置的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：一基板，其具有一隔离区及由该隔离区所定义的一主动区；至少一沟槽，形成于该主动区内，且沿一第一方向延伸；以及一栅极层，设置于该主动区上且沿一第二方向延伸，而顺应性填入所述至少一沟槽的侧壁及底部上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410123623.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管及其制作方法
- 下一篇：半导体结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
