[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410123623.8 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104952923A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 罗宗仁;刘兴潮;黄志仁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：
一基板，其具有一隔离区及由该隔离区所定义的一主动区；
至少一沟槽，形成于该主动区内，且沿一第一方向延伸；以及
一栅极层，设置于该主动区上且沿一第二方向延伸，而顺应性填入所述至少一沟槽的侧壁及底部上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二方向垂直于该第一方向。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一沟槽延伸至该隔离区。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一沟槽的深宽比介于0.3-0.8之间。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极层的厚度大于
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：
提供一基板；
于该基板内形成多个第一沟槽，其中所述第一沟槽构成一隔离区且于该基板中定义出一主动区；
于该主动区内形成至少一第二沟槽，其沿一第一方向延伸；
于所述第一沟槽内填入一绝缘材料；以及
于该主动区上形成一栅极层，其中该栅极层沿一第二方向延伸，且填入所述至少一第二沟槽的侧壁及底部上。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第二方向垂直于该第一方向。
8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述至少一第二沟槽延伸至该隔离区。
9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该栅极层的厚度大于
10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：
在所述第一沟槽内填入该绝缘材料的同时，于所述至少一第二沟槽内填入该绝缘材料；以及
去除所述至少一第二沟槽内的该绝缘材料。
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