[发明专利]一种LED覆晶结构及其制造在审
| 申请号： | 201410120121.X | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103872232A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吕吉隆;杨秋湖 | 申请（专利权）人： | 深圳市世民科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 515000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED覆晶结构，其包括包括基板、LED芯片、第一电极、第二电极、反射层以及覆盖层，所述反射层在所述基板上一体成型，所述LED芯片倒装焊接在所述基板上，所述LED芯片设置有正电极以及负电极，所述正电极连接所述第一电极，所述负电极连接所述第二电极，所述覆盖层覆盖设置在所述LED芯片的上部。本发明的优点如下所述：导电面积大，内阻小，能承受大电流通过，减少因为内阻大引起的过大热量；发光率高，发光角度大等优点。封装工艺简化，降低了封装成本，提高了生产效率；低光衰，不因为热引起的快速光衰，从而延长了LED芯片的寿命，是普通灯具的10倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 结构 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种LED覆晶结构，其特征在于：其包括包括基板、LED芯片、第一电极、第二电极、反射层以及覆盖层，所述反射层在所述基板上一体成型，所述第一电极及第二电极焊接在所述基板上，所述LED芯片设置有正电极以及负电极，所述第一电极上部设置有固晶区域，所述LED芯片的正电极设置在所述固晶区域上，所述第二电极上部设置有接触层，所述LED芯片的负电极与所述接触层电性连接；所述覆盖层覆盖设置在所述LED芯片的上层。
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