[发明专利]一种LED覆晶结构及其制造

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，具体的涉及一种LED覆晶结构及其制造方法。 

背景技术

LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，然而通常LED高功率产品输入功率绝大部分会转换为热能，一般而言，LED发光时所产生的热能若无法导出，将会使LED结面温度过高，影响产品生命周期、发光效率及稳定性等。目前覆晶式LED封装结构的散热途径，主要是藉由LED电极导线传导至系统电路板导出。但由于电极导线的散热体积有限使散热效果不明显，其热的堆积仍然对产品生命周期、发光效率产生重大影响。 

发明内容

本发明针对上述提到的现有的技术存在的不足，提供一种LED覆晶结构及其制造方法。 

具体的，本发明提供一种LED覆晶结构，其包括包括基板、LED芯片、第一电极、第二电极、反射层以及覆盖层，所述反射层在所述基板上一体成型，所述第一电极及第二电极焊接在所述基板上，所述LED芯片设置有正电极以及负电极，所述第一电极上部设置有固晶区域，所述LED芯片的正电极设置在所述固晶区域上，所述第二电极上部设置有接触层，所述LED芯片的负电极与所述接触层电性连接；所述覆盖层覆盖设置在所述LED芯片的上层。 

优选的，所述基板为铝基板或铜板。 

优选的，所述第一电极、第二电极具有不同的极性。 

优选的，所述LED芯片的电性连接为覆晶方式。 

优选的，所述反射层其材料是塑料或是高分子材料，例如，PPA(Polyphthalamide)塑料或是环氧树脂材料。 

一种制作LED灯的方法： 

S1：提供一基板及一LED芯片； 

S2：固晶：先在铝基板上点上锡膏，然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动至与基板对应的位置，再安置在相应的位置上。 

S3：烧结：通过回流焊炉使锡膏胶固化，将基板和芯片接合一起，烧结要求对材料锡膏的溶点温度进行设置回流焊炉温度曲线。 

S4：调胶及脱泡：根据LED芯片的波长值和色温要求调配荧光粉和硅胶的比例，调配好硅胶之后经过离心设备进行脱泡。 

S5：点胶：利用点胶设备将硅胶点在相应的位置上。 

S6：烘烤：利用烤箱将硅胶烘烤固化，烤箱的温度设置为150℃，烧烤时间设置为2小时。 

S7：测试：测试LED灯的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED灯进行分选。 

本发明的优点如下所述：导电面积大，内阻小，能承受大电流通过，减少因为内阻大引起的过大热量；发光率高，发光角度大等优点。封装工艺简化，降低了封装成本，提高了生产效率；低光衰，不因为热引起的快速光衰，从而延长了LED芯片的寿命，是普通灯具的10倍以上。 

附图说明

图1为本发明的结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步解释： 

本发明提供一种LED覆晶结构，其包括包括基板1、LED芯片2、第一电极3、第二电极4、反射层6以及覆盖层5，反射层6在基板1 上一体成型，LED芯片2倒装焊接在基板1上，LED芯片2设置有正电极20以及负电极21，正电极20连接第一电极3，负电极21连接第二电极4，覆盖层5覆盖设置在LED芯片2的上部。在本实施例中，覆盖层5为蓝宝石或其他晶体。 

优选的，基板1为铝基板或铜板。在其余的实施例中，基板1也可以是陶瓷板。 

优选的，第一电极3、第二电极4具有不同的极性。在本实施例中，第一电极3为正性电极，第二电极4为负性电极。 

优选的，第一电极3设置有固晶区域，LED芯片2设置在固晶区域41，第二电极4设置有接触层40，LED芯片2与接触层40电性连接。在本实施例中，接触层40为金属合金层。 

优选的，LED芯片2的电性连接为覆晶方式。 

优选的，反射层6的材料是塑料或是高分子材料，例如，可以是PPA(Polyphthalamide)塑料或是环氧树脂材料。 

下面结合实施例对制作上述覆晶LED结构的一种LED封装方法做进一步解释： 

S1：首先提供一铝基板1及一LED芯片2； 

S2：固晶：先在铝基板1上点上锡膏，然后用真空吸嘴将LED芯片2吸起移动至与铝基板对应的位置，再安置在相应的位置上。