[发明专利]一种LED覆晶结构及其制造

权利要求书

1.一种LED覆晶结构，其特征在于：其包括包括基板、LED芯片、第一电极、第二电极、反射层以及覆盖层，所述反射层在所述基板上一体成型，所述第一电极及第二电极焊接在所述基板上，所述LED芯片设置有正电极以及负电极，所述第一电极上部设置有固晶区域，所述LED芯片的正电极设置在所述固晶区域上，所述第二电极上部设置有接触层，所述LED芯片的负电极与所述接触层电性连接；所述覆盖层覆盖设置在所述LED芯片的上层。

2.根据权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述基板为铝基板或铜板。

3.根据权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述第一电极、第二电极具有不同的极性。

4.根据权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述LED芯片的电性连接为覆晶方式连接。

5.根据权利要求1所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述反射层的材料是塑料或高分子材料。

6.根据权利要求5所述的LED覆晶结构，其特征在于：所述反射层的PPA塑料或环氧树脂。

7.一种根据权利要求1-6中任意权利要求所述的LED覆晶结构制作LED灯的方法，其特征在于，其包括以下步骤：

S1：提供一基板及一LED芯片；

S2：固晶：先在基板上点上锡膏，然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动至与基板对应的位置，再安置在相应的位置上；

S3：烧结：通过回流焊炉使锡膏胶固化，将基板和芯片接合一起，烧结要求对材料锡膏的溶点温度进行设置回流焊炉温度曲线；

S4：调胶及脱泡：根据LED芯片的波长值和色温要求调配荧光粉和硅胶的比例，调配好硅胶之后经过离心设备进行脱泡；

S5：点胶：利用点胶设备将硅胶点在相应的位置上；

S6：烘烤：利用烤箱将硅胶烘烤固化，烤箱的温度设置为150℃，烧烤时间设置为2小时，防止荧光粉发生沉淀；

S7：测试：测试LED灯的光电参数、检验外形尺寸。