[发明专利]一种多晶硅层器件辅助图形的绘制方法有效
| 申请号： | 201410118199.8 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103886153B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 蒋斌杰;陈权;张月雨;于世瑞;景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，包括获取有源区层、多晶硅层、厚氧化层和所有避让层的完整设计版图；通过版图逻辑运算选出所有与多晶硅层有交叠的有源区层，并筛选出交叠有源区层上不与多晶硅层接触的边，将这些边往外依次扩大第一尺寸和第二尺寸，其中，第二尺寸的值大于第一尺寸的值，分别得到所述第一多边形和第二多边形；去除第二多边形中与第一多边形重合的部分以及多晶硅器件辅助图形禁入区域内的部分，获得第一多晶硅器件辅助图形；最后，根据技术节点和光刻工艺的能力，再采用逻辑运算将第一多晶硅器件辅助图形进行修整后处理过程，形成第二多晶硅器件辅助图形。因此，本发明能弥补由于设计疏忽而漏加的情况，为产品按时生产挽回很多宝贵的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 器件 辅助 图形 绘制 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：步骤S1：获取有源区层、多晶硅层、厚氧化层和所有避让层的完整设计版图；步骤S2：通过版图逻辑运算选出所有与多晶硅层有交叠的有源区层，并筛选出所述交叠有源区层上不与多晶硅层接触的边，将所述边往外依次扩大第一尺寸和第二尺寸，所述第二尺寸的值大于第一尺寸的值，分别得到第一多边形和第二多边形；步骤S3：去除第二多边形中与第一多边形重合的部分以及多晶硅器件辅助图形禁入区域内的部分，获得第一多晶硅器件辅助图形；其中，所述第一尺寸的值决定了所述第一多晶硅器件辅助图形边界到所述有源区层之间的最小距离；所述第二尺寸与第一尺寸的差值为所述第一多晶硅器件辅助图形的最小宽度；所述第一尺寸的值和所述第二尺寸与第一尺寸的差值取决于技术节点和光刻工艺的能力。
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