[发明专利]一种多晶硅层器件辅助图形的绘制方法

权利要求书

1.一种多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：

步骤S1：获取有源区层、多晶硅层、厚氧化层和所有避让层的完整设计版图；

步骤S2：通过版图逻辑运算选出所有与多晶硅层有交叠的有源区层，并筛选出所述交叠有源区层上不与多晶硅层接触的边，将所述边往外依次扩大第一尺寸和第二尺寸，所述第二尺寸的值大于第一尺寸的值，分别得到第一多边形和第二多边形；

步骤S3：去除第二多边形中与第一多边形重合的部分以及多晶硅器件辅助图形禁入区域内的部分，获得第一多晶硅器件辅助图形；其中，所述第一尺寸的值决定了所述第一多晶硅器件辅助图形边界到所述有源区层之间的最小距离；所述第二尺寸与第一尺寸的差值为所述第一多晶硅器件辅助图形的最小宽度；所述第一尺寸的值和所述第二尺寸与第一尺寸的差值取决于技术节点和光刻工艺的能力。

2.如权利要求1所述的多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，还包括步骤S4：

根据技术节点和光刻工艺的能力，再采用逻辑运算将所述第一多晶硅器件辅助图形进行修整后处理过程，形成第二多晶硅器件辅助图形。

3.如权利要求2所述的多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述后处理过程包括去除所述第一多晶硅器件辅助图形中所有宽度小于所述第二尺寸与第一尺寸差值的部分。

4.如权利要求2所述的多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述后处理过程包括将距离小于预定间隔阈值的两条及两条以上所述第一多晶硅器件辅助图形合并，其中，所述预定间隔阈值的值取决于技术节点和光刻工艺的能力。

5.如权利要求2所述的多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述后处理过程包括使所述第一多晶硅器件辅助图形中所有非长方形的图形转变为矩形。

6.如权利要求2所述的多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述后处理过程包括使所有所述第一多晶硅器件辅助图形的短边延长，其中，所述延长的原则为延长部分不得进入禁入区域。

7.如权利要求6所述的多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述延长部分的最大延长尺寸为相邻多晶硅层超出有源区层部分的长度。

8.如权利要求2所述的多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述后处理过程包括去除面积小于预定面积阈值和/或长度小于第一预定长度阈值第一多晶硅器件辅助图形部分，其中，所述预定面积阈值和第一预定长度阈值的值取决于技术节点和光刻工艺的能力。

9.如权利要求2所述的多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述后处理过程包括将所有长度大于第二预定长度阈值的所述第一多晶硅器件辅助图形部分截断，其中，第二预定长度阈值取决于技术节点和光刻工艺的能力。

10.如权利要求9所述的多晶硅层器件辅助图形的绘制方法，其特征在于，所述截断生成的部分之间最小距离为预定间隔阈值。