[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。在漂移层中形成第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层。在第二导电类型的掩埋层的侧部和漂移层之间的边界中形成边界绝缘膜。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层的下端和边界绝缘膜的下端相接触。第二导电类型的掩埋层与源电极电连接。在第二导电类型的掩埋层的表面层中形成第二导电类型的高浓度层。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一层；在所述第一导电类型的所述第一层上方形成的第二导电类型的层；在所述第二导电类型的所述层上方形成的所述第一导电类型的第二层；栅极沟槽，所述栅极沟槽穿过所述第一导电类型的所述第二层和所述第二导电类型的所述层，并且所述栅极沟槽的下端到达所述第一导电类型的所述第一层；在所述栅极沟槽的内壁中形成的栅极绝缘膜；在所述栅极沟槽中掩埋的栅电极；在所述第一导电类型的所述第一层中形成的所述第二导电类型的掩埋层，所述第二导电类型的所述掩埋层不与所述第二导电类型的所述层和所述第一导电类型的所述第二层重叠；边界绝缘膜，所述边界绝缘膜位于所述第二导电类型的所述掩埋层的侧部和所述第一导电类型的所述第一层之间的边界中；所述第二导电类型的下层，所述第二导电类型的所述下层形成在所述第一导电类型的所述第一层中，与所述第二导电类型的所述掩埋层和所述边界绝缘膜的下端相接触；电极，所述电极形成在比所述第一导电类型的所述第二层高的位置，与所述第二导电类型的所述掩埋层电连接，和漏电极，所述漏电极形成在所述第一导电类型的所述第一层下方并且电连接到所述第一导电类型的所述第一层。