[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的第一层；

在所述第一导电类型的所述第一层上方形成的第二导电类型的层；

在所述第二导电类型的所述层上方形成的所述第一导电类型的第二层；

栅极沟槽，所述栅极沟槽穿过所述第一导电类型的所述第二层和所述第二导电类型的所述层，并且所述栅极沟槽的下端到达所述第一导电类型的所述第一层；

在所述栅极沟槽的内壁中形成的栅极绝缘膜；

在所述栅极沟槽中掩埋的栅电极；

在所述第一导电类型的所述第一层中形成的所述第二导电类型的掩埋层，所述第二导电类型的所述掩埋层不与所述第二导电类型的所述层和所述第一导电类型的所述第二层重叠；

边界绝缘膜，所述边界绝缘膜位于所述第二导电类型的所述掩埋层的侧部和所述第一导电类型的所述第一层之间的边界中；

所述第二导电类型的下层，所述第二导电类型的所述下层形成在所述第一导电类型的所述第一层中，与所述第二导电类型的所述掩埋层和所述边界绝缘膜的下端相接触；

电极，所述电极形成在比所述第一导电类型的所述第二层高的位置，与所述第二导电类型的所述掩埋层电连接，和

漏电极，所述漏电极形成在所述第一导电类型的所述第一层下方并且电连接到所述第一导电类型的所述第一层。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中当从平面图中看时所述第二导电类型的所述下层覆盖了所述第二导电类型的所述掩埋层的全部。

3.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

所述第二导电类型的高浓度层，所述第二导电类型的所述高浓度层的至少一部分位于所述第二导电类型的所述掩埋层的表面层，并且所述第二导电类型的所述高浓度层具有比所述第二导电类型的所述掩埋层高的杂质浓度，

其中所述电极连接到所述第二导电类型的所述高浓度层。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中当在平面图中看时所述第二导电类型的所述掩埋层与所述栅电极重叠，并且

所述边界绝缘膜的上部连接到所述栅极绝缘膜的下部。

5.根据权利要求1的半导体器件，其中当在平面图中看时所述第二导电类型的所述掩埋层和所述边界绝缘膜与所述栅电极和所述栅极绝缘膜并排。

6.根据权利要求5的半导体器件，其中多个栅极沟槽彼此并列地形成，

所述栅极绝缘膜和所述栅电极形成在所述多个栅极沟槽的每个中，并且

当在平面图中看时所述第二导电类型的所述掩埋层和所述边界绝缘膜位于所述多个栅极沟槽之间。

7.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

连接到所述第一导电类型的所述第一层的漏电极；和

连接到所述第一导电类型的所述第二层的源电极，

其中在所述漏电极和所述源电极之间施加等于或者高于60V的电压。

8.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第二导电类型的所述层完全在所述第一层之上。

9.根据权利要求1的半导体器件，其中所述边界绝缘膜的下端部分地伸出所述第二导电类型的所述下层。

10.根据权利要求1的半导体器件，其中所述掩埋层是多层结构，所述多层结构包括第一掩埋层和第二掩埋层，所述第一掩埋层接触所述下层并且所述第二掩埋层接触所述第一掩埋层的顶表面。

11.根据权利要求10的半导体器件，其中所述第一掩埋层具有与所述第二掩埋层不同的杂质浓度。