[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及半导体器件。在漂移层中形成第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层。在第二导电类型的掩埋层的侧部和漂移层之间的边界中形成边界绝缘膜。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层的下端和边界绝缘膜的下端相接触。第二导电类型的掩埋层与源电极电连接。在第二导电类型的掩埋层的表面层中形成第二导电类型的高浓度层。

该申请基于日本专利申请No.2013-061474，通过引用将其内容并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，并且涉及一种适用于例如包括垂直晶体管的半导体器件的技术。

背景技术

已知具有垂直晶体管的半导体器件。垂直晶体管被用在例如控制大电流的元件中。已知垂直晶体管具有沟槽栅极结构。作为具有沟槽栅极结构的垂直晶体管，有在例如美国专利No.7323386的说明书中公开的技术。在美国专利No.7323386的说明书中，晶体管具有如下的结构，其中在充当漏极的N⁺层上形成充当基极的N层和P层，并在P层的表面层上进一步形成充当源极的N⁺层。具有沟槽结构的栅电极从P层向N层延伸。栅电极的下端进入N层。

在美国专利No.7323386的说明书中，在沟槽的下部形成P屏蔽层，而不是栅电极。绝缘膜形成在栅电极和P屏蔽层之间，并且侧壁绝缘膜形成在P屏蔽层和N层之间。另外，美国专利No.7323386的说明书公开了，P屏蔽层和侧壁绝缘膜形成在与栅极分离的沟槽内，并且P屏蔽层连接至源电极。

垂直晶体管需要低导通电阻和抵抗漏极电压的高耐受电压。然而，通常，减小导通电阻和增加耐受电压处于权衡关系，因此不太可能彼此高度协调。

由本说明书的描述和附图将使其它问题和新特征变得更清晰。

发明内容

在一个实施例中，第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层形成在充当漂移层的第一导电类型的第二层中。边界绝缘膜形成在第二导电类型的掩埋层的侧部和第一导电类型的第一层之间的边界中。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层和边界绝缘膜的下端相接触。

根据该实施例，能够实现彼此高度协调地减小导通电阻和增加耐受电压。

附图说明

结合附图，从某些优选实施例的下列描述，本发明的以上和其它目的、优势和特征将变得更加明显，其中：

图1是示出根据第一实施例的半导体器件的顶视图。

图2是其中从图1移除栅极焊盘、栅极互连和源电极的示意图。

图3是沿图2的A-A'线得到的截面图。

图4是示出垂直晶体管结构的截面图。

图5A至5C是示出制造半导体器件的方法的截面图。

图6A至6D是示出制造半导体器件的方法的截面图。

图7A和7D是示出制造半导体器件的方法的截面图。

图8A和8B是示出制造半导体器件的方法的截面图。

图9是示出通过模拟等势线的位置和垂直晶体管的耗尽层而获得结果的图。

图10是示出当不形成第二导电类型的掩埋层、第二导电类型的高浓度层和第二导电类型的下层时，通过模拟等势线的位置和垂直晶体管的耗尽层而获得结果的图。

图11是示出根据第二实施例的半导体器件中的第二导电类型的高浓度层和接触件之间的连接部分的结构的截面图。

图12是示出根据第三实施例的半导体器件的构造的截面图。

图13是示出根据第四实施例的半导体器件的构造的截面图。