[发明专利]对准图形及晶圆有效
| 申请号： | 201410110062.8 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103872022A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吴佳宏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种对准图形，用于在测量机台上对准晶圆，所述晶圆包括多个阵列的投影曝光区域，相邻的所述投影曝光区域通过切割道相隔离，所述对准图形位于所述投影曝光区域边侧的所述切割道内。本发明还提供包括所述对准图形的晶圆。在本发明的对准图形中，所述投影曝光区域边侧的所述切割道内没有其他干扰图形，并且位于所述切割道与所述对准图形之间的对比度高，在测量机台的光学显微镜下，所述对准图形与背景颜色黑白分明，可以精确定位晶圆的位置，提高量测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 图形 | ||
【主权项】：
一种对准图形，其特征在于，用于在测量机台上对准晶圆，所述晶圆包括多个阵列的投影曝光区域，相邻的所述投影曝光区域通过切割道相隔离，所述对准图形位于所述投影曝光区域边侧的所述切割道内。
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