[发明专利]对准图形及晶圆有效

专利信息
申请号: 201410110062.8 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN103872022A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 吴佳宏 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 王宏婧
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 对准 图形
【权利要求书】:

1.一种对准图形,其特征在于,用于在测量机台上对准晶圆,所述晶圆包括多个阵列的投影曝光区域,相邻的所述投影曝光区域通过切割道相隔离,所述对准图形位于所述投影曝光区域边侧的所述切割道内。

2.如权利要求1所述的对准图形,其特征在于,所述对准图形至少包括一条第一向线和一第二向线,所述第一向线在第一方向延伸,所述第二向线在第二方向延伸,所述第一方向和第二方向相垂直。

3.如权利要求2所述的对准图形,其特征在于,所述第一向线和第二向线单独排列,互不交叉。

4.如权利要求2所述的对准图形,其特征在于,多个所述第一向线组成一排列组,所述对准图形包括至少一组所述排列组。

5.如权利要求4所述的对准图形,其特征在于,每个排列组包括2-5个所述第一向线。

6.如权利要求4所述的对准图形,其特征在于,所述对准图形包括两条以上所述第二向线,每相邻两条的所述第二向线之间排列至少一组所述排列组。

7.如权利要求6所述的对准图形,其特征在于,每相邻两条的所述第二向线之间排列2-4组所述排列组。

8.如权利要求2所述的对准图形,其特征在于,所述对准图形还包括一对准框,所述第一向线和第二向线位于所述对准框的范围内。

9.如权利要求2所述的对准图形,其特征在于,所述对准框与所述第一向线和第二向线位于相邻的膜层。

10.如权利要求2所述的对准图形,其特征在于,所述第一方向为所述晶圆的纵向,所述第二方向为所述晶圆的横向;或,所述第一方向为所述晶圆的横向,所述第二方向为所述晶圆的纵向。

11.如权利要求1所述的对准图形,其特征在于,所述对准图形为方形,所述对准图形的边长为40μm~250μm。

12.一种晶圆,其特征在于,包括如权利要求1-11中任意一项所述的对准图形。

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