[发明专利]对准图形及晶圆

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶圆对准技术领域，特别是涉及一种对准图形及晶圆。

背景技术

在半导体芯片制造中包括多道工艺，在每一道工艺实施之后，需要使用量测等手段，监控该工艺是否达标。例如，对于介质化学气相沉积(DCVD)、干法刻蚀(ETCH)、湿法刻蚀(WET)、化学机械抛光(CMP)等工艺，在工艺步骤完成后，需要量测晶圆上指定位置的单层薄膜的厚度或总厚度；又如，光刻(PHOTO)、干法刻蚀(ETCH)等工艺，在工艺步骤完成后，需要量测晶圆上指定位置的特征尺寸(CD)，等等。

以膜厚机台量测薄膜厚度为例，一般的晶圆分为有图形(pattern)晶圆和无图形晶圆。无图形晶圆无需对准图形，测量简单。对于有图形晶圆的测量流程是如下：

首先，机械臂抓取待测晶圆，放置于对准器(aligner)上，通过旋转晶圆，使用红外线扫描晶圆晶边，测得晶圆边界和刻痕(notch)位置，从而对晶圆的中心和notch对准；

接着，机械臂将晶圆抓取放置于量测台(stage)上。放置在stage上的晶圆再通过光学扫描定位晶圆位置。一般为三点位置、六点位置、九点位置、十二点位置和边界，(notch一般为六点位置)；

然后，通过光学寻找程式(recipe)中已定义的(一般是通过前期调整train过)的对准图形(又称独特点，unique pattern)进行对准定位。通过unique pattern找到没有shot(投影曝光)的参考点(一般为shot的左下点)，作为shot的原点，通过此原点，及程式中已经train过的量测垫(measurement pad)的相对位置，找到量测垫(其上具有量测点)。继而完成对所选择的量测点进行测量。

然而，在实际操作中，找到合适的unique pattern并不容易。一般默认选取shot的左下点，即光刻的锁紧角(locking corner)作为参考区域。但是现有技术的unique pattern很难定位，无法完成量测。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种对准图形及晶圆，能够准确定位，提高量测效率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种对准图形，用于在测量机台上对准晶圆，所述晶圆包括多个阵列的投影曝光区域，相邻的所述投影曝光区域通过切割道相隔离，所述对准图形位于所述投影曝光区域边侧的所述切割道内。

进一步的，在所述对准图形中，所述对准图形至少包括一条第一向线和一第二向线，所述第一向线在第一方向延伸，所述第二向线在第二方向延伸，所述第一方向和第二方向相垂直。

进一步的，在所述对准图形中，所述第一向线和第二向线单独排列，互不交叉。

进一步的，在所述对准图形中，多个所述第一向线组成一排列组，所述对准图形包括至少一组所述排列组。

进一步的，在所述对准图形中，每个排列组包括2-5个所述第一向线。

进一步的，在所述对准图形中，所述对准图形包括两条以上所述第二向线，每相邻两条的所述第二向线之间排列至少一组所述排列组。

进一步的，在所述对准图形中，每相邻两条的所述第二向线之间排列2-4组所述排列组。

进一步的，在所述对准图形中，所述对准图形还包括一对准框，所述第一向线和第二向线位于所述对准框的范围内。

进一步的，在所述对准图形中，所述对准框与所述第一向线和第二向线位于相邻的膜层。

进一步的，在所述对准图形中，所述第一方向为所述晶圆的纵向，所述第二方向为所述晶圆的横向；或，所述第一方向为所述晶圆的横向，所述第二方向为所述晶圆的纵向。

进一步的，在所述对准图形中，所述对准图形为方形，所述对准图形的边长为40μm～250μm。

根据本发明的另一面，本发明还提供一种晶圆，包括如上所述的任意一中所述的对准图形。

与现有技术相比，本发明提供的对准图形及晶圆具有以下优点：

本发明提供的对准图形及晶圆中，所述对准图形用于在测量机台上对准晶圆，所述晶圆包括多个阵列的投影曝光区域，相邻的所述投影曝光区域通过切割道相隔离，所述对准图形位于所述投影曝光区域边侧的所述切割道内。与现有技术相比，所述投影曝光区域边侧的所述切割道内没有其他干扰图形，并且位于所述切割道与所述对准图形之间的对比度高，在测量机台的光学显微镜下，所述对准图形与背景颜色黑白分明，可以精确定位晶圆的位置，提高量测效率。

附图说明

图1为本发明一实施例中晶圆的示意图；