[发明专利]P型沟道闪存器件及其制造方法

摘要

一种P型沟道闪存器件之制造方法，包括：步骤S1：通过离子注入工艺形成N阱，并沉积遂穿氧化层、第一多晶硅浮栅结构和氮化硅层；步骤S2：通过干法刻蚀工艺形成浅沟槽隔离；步骤S3：通过高深宽比工艺对浅沟槽隔离进行二氧化硅介质层填充；步骤S4：通过湿法刻蚀部分去除二氧化硅介质层，并沉积ONO介电氧化层；步骤S5：淀积第二多晶硅控制栅结构；步骤S6：通过干法刻蚀工艺刻蚀形成控制栅极和浮栅；步骤S7：源极区和所述漏极区注入不同剂量P型掺杂。本发明在P型沟道存储器件的基础上采用自对准浅沟槽隔离工艺，不仅增加器件存储密度，而且通过采用较高的浮栅，增强器件的电压耦合效应，进而实现读取速度快、功耗低等功效。

主权项

一种P型沟道闪存器件，其特征在于，所述P型沟道闪存器件包括：N阱，所述N阱设置在晶向为<110>的P型硅片上；浮栅，所述浮栅与所述N阱通过所述遂穿氧化层间隔设置；P型掺杂源极区和P型掺杂漏极区，所述P型掺杂源极区和P型掺杂漏极区分别设置在所述浮栅之两侧；控制栅极，所述控制栅极通过所述ONO介电氧化层间隔设置在所述浮栅上。