[发明专利]终点判断方法在审
| 申请号： | 201410098667.X | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839851A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王敬平;周广伟;彭精卫;党华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06F19/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种终点判断方法。所述终点判断方法包括：利用一侦测模块侦测反应腔中反应气体的辉光强度；利用一数据处理模块接收由侦测模块获得的数据并进行处理；其中，在进行数据处理时，不对所述数据进行平滑处理；将所述数据处理后由一显示模块显示并分析。本发明提高了判断的准确性，进而使得制程过程得到精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 终点 判断 方法 | ||
【主权项】：
一种终点判断方法，用于在干法刻蚀中判断反应气体的含量，其特征在于，包括：利用一侦测模块侦测反应腔中反应气体的辉光强度；利用一数据处理模块接收由侦测模块获得的数据并进行处理；其中，在进行数据处理时，不对所述数据进行平滑处理；将所述数据处理后由一显示模块显示并分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
