[发明专利]终点判断方法在审
| 申请号: | 201410098667.X | 申请日: | 2014-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN103839851A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
| 发明(设计)人: | 王敬平;周广伟;彭精卫;党华 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G06F19/00 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 终点 判断 方法 | ||
1.一种终点判断方法,用于在干法刻蚀中判断反应气体的含量,其特征在于,包括:
利用一侦测模块侦测反应腔中反应气体的辉光强度;
利用一数据处理模块接收由侦测模块获得的数据并进行处理;其中,在进行数据处理时,不对所述数据进行平滑处理;
将所述数据处理后由一显示模块显示并分析。
2.如权利要求1所述的终点判断方法,其特征在于,对处理后的数据进行分析包括在设定的时间段内反应气体的辉光强度变动是否符合设定标准,若符合设定标准,则辉光强度变动末端的时间点即为所述终点。
3.如权利要求1所述的终点判断方法,其特征在于,所述显示模块显示出所述反应气体的辉光强度随时间的变化曲线。
4.如权利要求3所述的终点判断方法,其特征在于,所述辉光强度以相对值表示,所述相对值为反应起始时间之后某一时刻时所对应的辉光强度与反应起始时间辉光强度的比值的以10为底的对数值。
5.如权利要求4所述的终点判断方法,其特征在于,所述反应起始时间为0~10s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





