[发明专利]终点判断方法在审

专利信息
申请号: 201410098667.X 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN103839851A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 王敬平;周广伟;彭精卫;党华 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G06F19/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 终点 判断 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种在干法刻蚀过程中终点(endpoint)判断方法。

背景技术

在干法刻蚀过程中,需要对反应腔室内的环境有着精确的控制,例如终点(endpoint)就是一个很重要的参数,这一参数反映着反应腔中生成物的量的多少,通过一系列的数据设定,达到精确的控制制程。

但是终点并不是容易控制的,以AMAT公司的干法刻蚀设备为例,如图1所示,进行干法刻蚀时的终点判断方法包括:

步骤S1:利用一侦测模块侦测反应腔中反应气体的辉光强度;

步骤S2:利用一数据处理模块接收由侦测模块获得的数据并进行处理;在进行数据处理时,业内的统一看法是需要对所述数据进行平滑处理(Field PeriodCycles),例如是3次以上的高斯处理,从而剔除一些错误的数据,使得曲线平滑。而若不进行平滑处理,则可能导致曲线波动较大,不易于人为观察。

但是事实证明,利用这种方法进行判断时,终点系统经常会侦测出一些错误的终点,而这一错误很容易导致制程错误,甚至会引起在反应腔中的晶圆或者后续产品的报废。

因此,现有技术中的终点判断方法存在缺陷,需要进行改善。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种终点判断方法,以提高判断的准确度,减少甚至避免误报。

为解决上述技术问题,本发明提供一种终点判断方法,用于在干法刻蚀中判断反应气体的含量,包括:

利用一侦测模块侦测反应腔中反应气体的辉光强度;

利用一数据处理模块接收由侦测模块获得的数据并进行处理;其中,在进行数据处理时,不对所述数据进行平滑处理;

将所述数据处理后由一显示模块显示并分析。

可选的,对于所述的终点判断方法,对处理后的数据进行分析包括在设定的时间段内反应气体的辉光强度变动是否符合设定标准,若符合设定标准,则辉光强度变动末端的时间点即为所述终点。

可选的,对于所述的终点判断方法,所述显示模块显示出所述反应气体的辉光强度随时间的变化曲线。

可选的,对于所述的终点判断方法,所述辉光强度以相对值表示,所述相对值为反应起始时间之后某一时刻时所对应的辉光强度与反应起始时间辉光强度的比值的以10为底的对数值。

可选的,对于所述的终点判断方法,所述反应起始时间为0~10s。

与现有技术相比,本发明提供的终点判断方法中,在进行数据处理时,不对所述数据进行平滑处理。这纠正了现有技术中的错误认知,克服了技术偏见,从而大大的提高了判断的准确性;进而使得制程过程得到精确控制。

附图说明

图1为现有技术中终点判断方法的流程图;

图2为本发明实施例中终点判断方法的流程图;

图3为现有技术中终点判断方法获得的曲线图;

图4为本发明实施例中终点判断方法获得的曲线图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的终点判断方法进行更详细的描述,其中表示了本发明的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明,而仍然实现本发明的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本发明的限制。

为了清楚,不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细描述公知的功能和结构,因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中,必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的限制,由一个实施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的,但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于,提供一种终点判断方法,用于在干法刻蚀中判断反应气体的含量,包括:

步骤S101,利用一侦测模块侦测反应腔中反应气体的辉光强度;

步骤S102,利用一数据处理模块接收由侦测模块获得的数据并进行处理;其中,在进行数据处理时,不对所述数据进行平滑处理;

步骤S103,将所述数据处理后由一显示模块显示并分析。

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