[发明专利]一种用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽制备方法

摘要

一种用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽制备方法，主要改善了沟槽光刻制程，对光阻进行EBR处理的范围小于对BARC进行EBR处理的范围，使得BARC的边界线处于的光阻范围内，避免了在光刻制程中BARC的残留，而由于本发明对BARC的EBR处理的范围增大，为了防止在晶片边缘处的光阻直接涂布在硬掩膜氧化物薄膜层的表面，本发明还在硬掩膜氧化物薄膜层和光阻之间蒸镀了HMDS，从而避免了晶片边缘的光阻产生剥离。

主权项

一种用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽制备方法，其特征在于，该沟槽制备方法包含以下步骤：步骤1、在衬底上沉积硬掩膜氧化物薄膜层；步骤2、沟槽光刻制程；光刻制程依次包含前处理，上光阻，软烘，曝光，曝光后烘烤，显影，硬烘步骤；在前处理过程中，包含以下步骤：步骤2.11、在硬掩膜氧化物薄膜层上深紫外线DUV涂布 BARC抗反射涂层；步骤2.12、进行EBR清边处理，去除晶片边缘的BARC，清边处理后，剩余的BARC的边缘与晶片边缘的距离为d1；步骤2.13、蒸镀HMDS六甲基二硅氮甲烷，该HMDS覆盖整个晶片表面；在上光阻过程中，包含以下步骤：步骤2.21、在BARC上涂布正光阻PR；步骤2.22、进行EBR处理，去除晶片边缘的光阻，清边处理后，剩余的光阻的边缘与晶片边缘的距离为d2；步骤3、沟槽硬掩膜氧化物刻蚀制程；步骤4、沟槽硅刻蚀制程；所述的距离d1大于距离d2。