[发明专利]一种用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽制备方法

权利要求书

1.一种用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽制备方法，其特征在于，该沟槽制备方法包含以下步骤：

步骤1、在衬底上沉积硬掩膜氧化物薄膜层；

步骤2、沟槽光刻制程；

光刻制程依次包含前处理，上光阻，软烘，曝光，曝光后烘烤，显影，硬烘步骤；

在前处理过程中，包含以下步骤：

步骤2.11、在硬掩膜氧化物薄膜层上深紫外线DUV涂布 BARC抗反射涂层；

步骤2.12、进行EBR清边处理，去除晶片边缘的BARC，清边处理后，剩余的BARC的边缘与晶片边缘的距离为d1；

步骤2.13、蒸镀HMDS六甲基二硅氮甲烷，该HMDS覆盖整个晶片表面；

在上光阻过程中，包含以下步骤：

步骤2.21、在BARC上涂布正光阻PR；

步骤2.22、进行EBR处理，去除晶片边缘的光阻，清边处理后，剩余的光阻的边缘与晶片边缘的距离为d2；

步骤3、沟槽硬掩膜氧化物刻蚀制程；

步骤4、沟槽硅刻蚀制程；

所述的距离d1大于距离d2。

2.如权利要求1所述的用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽制备方法，其特征在于，所述的距离d1的范围为1.3～1.9mm，所述的距离d2的数值为1mm。

3.一种用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽制备方法，其特征在于，该沟槽制备方法包含以下步骤：

步骤1、在衬底上沉积硬掩膜氧化物薄膜层；

步骤2、沟槽光刻制程；

光刻制程依次包含前处理，上光阻，软烘，曝光，曝光后烘烤，显影，硬烘步骤；

在前处理过程中，包含以下步骤：

步骤2.11、蒸镀HMDS六甲基二硅氮甲烷，该HMDS覆盖整个晶片表面；

步骤2.12、在硬掩膜氧化物薄膜层上深紫外线DUV涂布 BARC抗反射涂层；

步骤2.13、进行EBR处理，去除晶片边缘的BARC，清边处理后，剩余的BARC的边缘与晶片边缘的距离为d1；

在上光阻过程中，包含以下步骤：

步骤2.21、在BARC上涂布正光阻PR；

步骤2.22、进行EBR处理，去除晶片边缘的光阻，清边处理后，剩余的光阻的边缘与晶片边缘的距离为d2；

步骤3、沟槽硬掩膜氧化物刻蚀制程；

步骤4、沟槽硅刻蚀制程；

所述的距离d1大于距离d2。

4.如权利要求1所述的用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽制备方法，其特征在于，所述的距离d1的范围为1.3～1.9mm，所述的距离d2的数值为1mm。

5.一种用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽光刻制程，该沟槽光刻制程依次包含前处理，上光阻，软烘，曝光，曝光后烘烤，显影，硬烘步骤；

其特征在于，

在前处理过程中，包含以下步骤：

步骤2.11、在硬掩膜氧化物薄膜层上深紫外线DUV涂布 BARC抗反射涂层；

步骤2.12、进行EBR清边处理，去除晶片边缘的BARC，清边处理后，剩余的BARC的边缘与晶片边缘的距离为d1；

步骤2.13、蒸镀HMDS六甲基二硅氮甲烷，该HMDS覆盖整个晶片表面；

在上光阻过程中，包含以下步骤：

步骤2.21、在BARC上涂布正光阻PR；

步骤2.22、进行EBR处理，去除晶片边缘的光阻，清边处理后，剩余的光阻的边缘与晶片边缘的距离为d2；

所述的距离d1大于距离d2。

6.如权利要求5所述的用于沟槽功率MOSFET晶片的沟槽光刻制程，其特征在于，所述的距离d1的范围为1.3～1.9mm，所述的距离d2的数值为1mm。