[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用以降低生产成本，进而保护周边过孔后续沉积的金属，避免金属和树脂粘附性不良的情况。阵列基板制造方法包括依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层；在第三钝化层上刻蚀位于漏极上方，贯穿第一、第二和第三钝化层的第一过孔、位于像素电极上方，贯穿第二和第三钝化层的第二过孔、位于存储电容上基板上方，贯穿第三钝化层的第三过孔、位于周边引线区源极上方，贯穿第一、第二和第三钝化层的第四过孔、位于周边引线区栅极上方，贯穿栅极绝缘层、第一、第二和第三钝化层的第五过孔。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层；在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔，其中，所述第一过孔位于所述漏极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第二过孔位于所述像素电极上方，贯穿所述第二钝化层和第三钝化层，所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方，贯穿所述第三钝化层，所述第四过孔位于周边引线区源极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第五过孔位于周边引线区栅极上方，贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层；在所述第三钝化层上沉积金属层，所述第一过孔和所述第二过孔通过沉积于孔内的金属层将所述漏极和所述像素电极电连接，所述第三过孔通过沉积于孔内的金属层将所述存储电容上基板与周边引线区的接地引线电连接，所述第四过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的源极与周边引线区的导线电连接，所述第五过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的栅极与周边引线区的导线电连接。