[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层；

在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔，其中，所述第一过孔位于所述漏极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第二过孔位于所述像素电极上方，贯穿所述第二钝化层和第三钝化层，所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方，贯穿所述第三钝化层，所述第四过孔位于周边引线区源极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第五过孔位于周边引线区栅极上方，贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层；

在所述第三钝化层上沉积金属层，所述第一过孔和所述第二过孔通过沉积于孔内的金属层将所述漏极和所述像素电极电连接，所述第三过孔通过沉积于孔内的金属层将所述存储电容上基板与周边引线区的接地引线电连接，所述第四过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的源极与周边引线区的导线电连接，所述第五过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的栅极与周边引线区的导线电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔，包括：

在所述第三钝化层上涂覆光刻胶，采用半透膜或灰阶掩模曝光，对周边引线区中栅极上方区域的光刻胶全曝光，源极上方区域的光刻胶半曝光；对像素区中漏极上方区域、像素电极上方区域和存储电容上基板上方区域的光刻胶半曝光；对其它区域的光刻胶不曝光，采用干法刻蚀得到第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔；或

在所述第三钝化层上涂覆光刻胶，对周边引线区中栅极上方区域、源极上方区域；对像素区中漏极上方区域、像素电极上方区域和存储电容上基板上方区域的光刻胶全曝光，对其它区域的光刻胶不曝光，采用干法刻蚀得到第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述金属层上制作第四钝化层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第四钝化层为感光树脂或非感光树脂。

5.根据权利要求3-4任一权项所述的方法，其特征在于，所述制作第四钝化层包括：

在所述金属层上涂覆树脂，并对所述树脂进行热固化处理，形成第四钝化层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第四钝化层上刻蚀第六过孔，所述第六过孔位于所述漏极上方，贯穿所述第四钝化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蚀第六过孔后，所述方法还包括：在所述第四钝化层上制作公共电极。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述基板包括：

衬底基板、依次位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板、第三钝化层、金属层，以及第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔；

其中，所述第一过孔位于所述漏极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层；所述第二过孔位于所述像素电极上方，贯穿所述第二钝化层和第三钝化层；所述第一过孔和所述第二过孔通过沉积于孔内的金属层将所述漏极和所述像素电极电连接；所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方，贯穿所述第三钝化层，所述第三过孔通过沉积于孔内的金属层将所述存储电容上基板与周边引线区的接地引线电连接；所述第四过孔位于周边引线区源极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第四过孔通过沉积于孔内的金属层将周边引线区的源极与周边引线区的导线电连接；所述第五过孔位于周边引线区栅极上方，贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第五过孔通过沉积于孔内沉积的金属层将周边引线区的栅极与周边引线区的导线电连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层为金属铝与金属钼的复合金属层。

10.一种显示装置，其特征在于，所述装置包括权利要求8-9任一权项所述的阵列基板。