[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

目前医用平板探测器，将穿过人体的X射线转化为可见光，将光信号转换为电信号，避免了拍照洗照片的不便，成功的实时呈现物体形貌，图1为现有技术中采用11道掩膜板制作得到的平板探测器阵列基板的像素区的结构图，其中，该阵列基板包括玻璃衬底10、栅极11、栅极绝缘层12、半导体有源层13、漏极14、源极15、第一钝化层16、像素电极17、第二钝化层18、存储电容上基板19、第三钝化层110、位于存储电容上基板19上的接地金属层111、树脂钝化层112和公共电极113，其中，像素电极17、存储电容上基板19和公共电极113均为氧化铟锡（Indium Tin Oxides，ITO）导电薄膜。漏极14上方的过孔001进行了多次套孔，具体为：第一钝化层16沉积后需要制作过孔、第二钝化层18沉积后需要制作过孔、第三钝化层110沉积后需要制作过孔、树脂钝化层112涂覆后需要制作过孔，这样的多次打孔容易造成像素不良。

图2（a）与图2（b）为现有技术中的平板探测器阵列基板周边引线区的结构图，图2（a）中的过孔21和22同样进行了多次套孔，当在过孔21和22的孔内位置处沉积金属铝20时，过孔21处需要刻蚀掉沉积的金属铝，会造成金属铝下方的ITO的腐蚀，过孔22内沉积的金属铝和其下方的ITO粘附性差，后续焊接外界的集成芯片时，容易造成铝和ITO的脱落，严重时，会引起连在一起的内部的ITO松动，进而带着上方的树脂一起脱落的现象。同样地，图2（b）中的过孔23和24也进行了多次套孔，同样会造成金属铝下方的ITO的腐蚀，以及金属铝和其下方的ITO粘附性差的问题。

综上所述，现有技术中的阵列基板像素区中漏极上方的过孔进行了多次套孔，在实际生产中套孔会产生一定的偏移，树脂的残留会造成像素不良；阵列基板周边引线区中的过孔处也进行了多次套孔，引线区中用作引线的电极采用金属铝电极，会造成引线电极区域的ITO腐蚀，以及金属铝和其下方的ITO粘附性差，容易造成脱落不良的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用以降低生产成本，进而保护周边过孔后续沉积的金属，避免金属和树脂粘附性不良的情况。

本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层；

在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔，其中，所述第一过孔位于所述漏极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第二过孔位于所述像素电极上方，贯穿所述第二钝化层和第三钝化层，所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方，贯穿所述第三钝化层，所述第四过孔位于周边引线区源极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第五过孔位于周边引线区栅极上方，贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层；

在所述第三钝化层上沉积金属层，所述第一过孔和所述第二过孔通过沉积于孔内的金属层将所述漏极和所述像素电极电连接，所述第三过孔通过沉积于孔内的金属层将所述存储电容上基板与周边引线区的接地引线电连接，所述第四过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的源极与周边引线区的导线电连接，所述第五过孔内沉积的金属层用于将周边引线区的栅极与周边引线区的导线电连接。

由本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，由于该阵列基板的制造方法包括在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔，其中，所述第一过孔位于所述漏极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第二过孔位于所述像素电极上方，贯穿所述第二钝化层和第三钝化层，所述第三过孔位于所述存储电容上基板上方，贯穿所述第三钝化层，所述第四过孔位于周边引线区源极上方，贯穿所述第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，所述第五过孔位于周边引线区栅极上方，贯穿所述栅极绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔在同一次工艺中制备得到，有效的避免了多次套孔引起的问题，降低生产成本，进而避免了周边过孔的金属因源极、漏极刻蚀和ITO刻蚀时，造成的对栅极上方孔内和源极上方孔内的腐蚀。

较佳地，所述在所述第三钝化层上刻蚀第一过孔、第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔，包括：