[发明专利]一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管有效
| 申请号： | 201410086559.0 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103840007B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;王立新;张彦飞 | 申请（专利权）人： | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司11453 | 代理人： | 李冬梅 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管，属于半导体技术领域。所述晶体管包括第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；第一导电类型的源掺杂区；第二导电类型的阱区；表面沟道区；栅介质层；多晶硅栅极；位于外延层表面的金属源电极和位于衬底背面的金属漏电极；位于栅介质层表面上方的绝缘介质层；垂直位于阱区下方且水平覆盖栅介质层上方无绝缘介质层部分的高浓度第二导电类型的电场屏蔽层；位于电场屏蔽层之间的第一导电类型的JFET区；绝缘介质层与电场屏蔽层构成屏蔽栅结构。本发明通过屏蔽栅结构，改变了VDMOS阻断状态下的电场分布与重离子轰击后载流子的输运路径，达到了提高器件抗单粒子能力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 结构 vdmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种屏蔽栅结构的VDMOS晶体管，包括：第一导电类型衬底；覆盖所述衬底的第一导电类型外延层；位于所述外延层内的第一导电类型的源掺杂区；位于所述外延层内且环绕所述源掺杂区的第二导电类型的阱区；位于所述掺杂区边界与阱区边界间的表面沟道区；覆盖所述沟道区表面及阱区之间的栅介质层；覆盖所述栅介质层的多晶硅栅极；位于所述外延层表面的金属源电极和位于所述衬底背面的金属漏电极；其特征在于，还包括：位于所述栅介质层表面上方的绝缘介质层；垂直位于所述阱区下方且水平覆盖所述栅介质层上方无绝缘介质层部分的高浓度第二导电类型的电场屏蔽层；位于所述电场屏蔽层之间的第一导电类型的JFET区；所述电场屏蔽层的间距小于所述绝缘介质层的宽度；所述绝缘介质层与电场屏蔽层构成屏蔽栅结构，所述多晶硅栅极完全覆盖所述栅介质层，所述多晶硅栅极还覆盖所述绝缘介质层。
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