[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供具有第一表面、与第一表面相对的第二表面的第一晶圆，第一表面具有至少一个半导体器件，半导体器件的顶部为第一导电层；提供具有第三表面、与第三表面相对的第四表面的第二晶圆，第二晶圆的第三表面上具有至少一个图形化的第二导电层，第二导电层与第一导电层的位置相对应；将第一导电层顶部与第二导电层顶部键合连接；键合连接后，减薄第二表面，使第一晶圆的厚度至最终厚度；由第四表面起，在第二晶圆内部形成导电插塞，导电插塞的底部电连接第二导电层；在减薄后的第一晶圆的第二表面形成第三导电层。采用本发明的方法可以提高整个芯片制程效率，并且降低成本。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述第一表面上具有至少一个半导体器件，所述半导体器件的顶部为第一导电层，所述第一导电层的材料为铝；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第三表面和与第三表面相对的第四表面，所述第二晶圆的第三表面上具有至少一个图形化的第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层的位置相对应，所述第二导电层的材料为铝；将所述第一导电层顶部与所述第二导电层顶部键合连接，所述键合连接的具体工艺为：将所述第一晶圆的第一表面与所述第二晶圆的第三表面相对，在键合温度为540～550℃、键合气体包括氮气的条件下，同时对第一晶圆的第二表面和第二晶圆的第四表面施加键合压力，所述键合压力的范围为60～100KN；所述键合连接后，减薄第一晶圆的第二表面，使第一晶圆的厚度至最终厚度；由所述第二晶圆的第四表面起，在第二晶圆内部形成导电插塞，所述导电插塞的底部电连接所述第二导电层；在所述减薄后的第一晶圆的第二表面形成第三导电层。