[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述第一表面上具有至少一个半导体器件，所述半导体器件的顶部为第一导电层；

提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第三表面和与第三表面相对的第四表面，所述第二晶圆的第三表面上具有至少一个图形化的第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层的位置相对应；

将所述第一导电层顶部与所述第二导电层顶部键合连接；

所述键合连接后，减薄第一晶圆第二表面，使第一晶圆的厚度至最终厚度；

由所述第二晶圆的第四表面起，在第二晶圆内部形成导电插塞，所述导电插塞的底部电连接所述第二导电层；

在所述减薄后的第一晶圆的第二表面形成第三导电层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一导电层的材料为铝。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第二导电层的材料为铝，所述键合连接的具体工艺为：

将所述第一晶圆的第一表面与所述第二晶圆的第三表面相对，在键合温度为540～550℃、键合气体包括氮气的条件下，同时对第一晶圆的第二表面和第二晶圆的第四表面施加键合压力，所述键合压力大于60～100KN。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，

所述第一晶圆的边缘具有第一环形结构，所述第一环形结构的材料与第一导电层相同；

所述第二晶圆的边缘具有第二环形结构，所述第二环形结构与所述第一环形结构的位置相对应，所述第二环形结构的材料与第二导电层相同；

所述第一导电层与所述第二导电层键合连接时，所述第一环形结构的顶部与所述第二环形结构的顶部进行键合连接。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为绝缘栅双极晶体管。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述最终厚度小于150微米。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成导电插塞后的第二晶圆的厚度为150～300微米。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第二晶圆内部形成导电插塞的方法包括：

刻蚀所述第二晶圆，由所述第二晶圆的第四表面起，在第二晶圆的内部至少形成一个通孔，所述通孔的底部露出所述第二导电层；

采用第四导电层填充所述通孔，形成导电插塞。

9.一种半导体结构，包括：

第一晶圆，所述第一晶圆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述第一晶圆的第一表面具有至少一个半导体器件；第一导电层，位于所述半导体器件的顶部；第三导电层，位于所述第一晶圆的第二表面上；

其特征在于，还包括：

第二晶圆，所述第二晶圆具有第三表面和与第三表面相对的第四表面；第二导电层，位于第二晶圆的第三表面，所述第二导电层与第一晶圆上的第一导电层对应键合连接；导电插塞，位于第二晶圆内部，且顶部与第二晶圆的第四表面齐平，底部与所述第二导电层电连接。

10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，所述第一晶圆的最终厚度小于150微米，所述半导体器件为绝缘栅双极晶体管，所述第一导电层与第二导电层为铝。