[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装有效
| 申请号： | 201410083845.1 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN103928586B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 周燕;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了发光器件和具有发光器件的发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；电极，该电极被电气地连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层在第二导电半导体层下面；保护层，该保护层被布置在第二导电半导体层的下表面的周围；以及缓冲层，该缓冲层被布置在保护层的顶表面和下表面中的至少一个上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 具有 封装 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；电极，所述电极被布置在所述第一导电半导体层上；反射层，所述反射层在所述第二导电半导体层的下表面之下；粘附层，所述粘附层被布置在所述反射层之下；保护层，所述保护层被布置在所述第二导电半导体层的下表面的周围；第一缓冲层，所述第一缓冲层被布置在所述保护层的下表面之下；以及第二缓冲层，所述第二缓冲层设置在所述保护层的顶表面上，其中，所述第一缓冲层被布置在所述保护层和所述粘附层之间，其中，所述第一缓冲层包括金属材料，以及其中，所述保护层的顶表面的内部与所述第二导电半导体层的下表面的外围部分接触，其中，所述保护层设置在所述第二导电半导体层和所述粘附层之间，其中，所述保护层与所述第二导电半导体层的下表面接触，以及其中，所述保护层与所述粘附层的顶表面的一部分和所述第一缓冲层的顶表面的一部分接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410083845.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
