[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装

说明书

公开了发光器件和具有发光器件的发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；电极，该电极被电气地连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层在第二导电半导体层下面；保护层，该保护层被布置在第二导电半导体层的下表面的周围；以及缓冲层，该缓冲层被布置在保护层的顶表面和下表面中的至少一个上。

本申请是2011年2月9日提交的申请号为201110036118.6，发明名称为“发光器件和具有发光器件的发光器件封装”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及发光器件和具有发光器件的发光器件封装。

背景技术

由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体已经被广泛地用作用于诸如发光二极管（LED）或者激光二极管（LD）的发光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料。

LED是通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外线或者光来发送/接收信号的半导体器件。LED还被用作光源。

使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或者LD被用作用于诸如蜂窝电话的键区发光部分、电子标识牌、以及发光装置的各种产品的光源。

发明内容

实施例提供包括缓冲层以保护保护层的发光器件和具有发光器件的发光器件封装。

实施例提供包括在发光结构的沟道区域中具有与保护层的优异的粘附强度的包括氧化物的缓冲层的发光器件，和具有发光器件的发光器件封装。

根据实施例，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；电极，该电极被电气地连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层在第二导电半导体层下面；保护层，该保护层被布置在第二导电半导体层的下表面的周围；以及缓冲层，该缓冲层被布置在保护层的顶表面和下表面中的至少一个上。

根据实施例，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；电极，该电极与第一导电半导体层电气地连接；欧姆层，该欧姆层在第二导电半导体层下面；反射层，该反射层在欧姆层下面；保护层，该保护层被布置在第二导电半导体层的下表面的周围；以及第一缓冲层，该第一缓冲层接触保护层的下表面的外部。

根据实施例，发光器件封装包括：主体；主体上的多个引线电极；发光器件，该发光器件被提供在引线电极中的至少一个上并且电气地连接到引线电极；以及成型构件，该成型构件在发光器件上。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；电极，该电极被电气地连接到第一导电半导体层；反射层，该反射层在第二导电半导体层下面；保护层，该保护层被布置在第二导电半导体层的下表面的周围；以及缓冲层，该缓冲层被布置在保护层的下表面和顶表面中的至少一个上。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧截面图；

图2至图9是示出图1的发光器件的制造方法的视图；

图10是示出根据第二实施例的发光器件的侧截面图；

图11是示出根据第三实施例的发光器件的侧截面图；

图12和图13是示出根据第四实施例的发光器件的制造方法的视图；

图14是示出根据第五实施例的发光器件的侧截面图；