[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；

电极，所述电极被布置在所述第一导电半导体层上；

反射层，所述反射层在所述第二导电半导体层的下表面之下；

粘附层，所述粘附层被布置在所述反射层之下；

保护层，所述保护层被布置在所述第二导电半导体层的下表面的周围；

第一缓冲层，所述第一缓冲层被布置在所述保护层的下表面之下；以及

第二缓冲层，所述第二缓冲层设置在所述保护层的顶表面上，

其中，所述第一缓冲层被布置在所述保护层和所述粘附层之间，

其中，所述第一缓冲层包括金属材料，以及

其中，所述保护层的顶表面的内部与所述第二导电半导体层的下表面的外围部分接触，

其中，所述保护层设置在所述第二导电半导体层和所述粘附层之间，

其中，所述保护层与所述第二导电半导体层的下表面接触，以及

其中，所述保护层与所述粘附层的顶表面的一部分和所述第一缓冲层的顶表面的一部分接触。

2.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；

电极，所述电极被布置在所述第一导电半导体层上；

反射层，所述反射层在所述第二导电半导体层的下表面之下；

粘附层，所述粘附层被布置在所述反射层之下；

保护层，所述保护层被布置在所述第二导电半导体层的下表面的周围；

第一缓冲层，所述第一缓冲层被布置在所述保护层的下表面之下；

第二缓冲层，所述第二缓冲层设置在所述保护层的顶表面上；以及

导电支撑构件，所述导电支撑构件在所述粘附层之下，

沟道区域，所述沟道区域是所述发光器件的外围部分并且位于所述发光结构的外部，

其中，所述第一缓冲层被布置在所述保护层和所述导电支撑构件之间，

其中，所述第一缓冲层包括金属材料，

其中，所述保护层的顶表面的内部与所述第二导电半导体层的下表面的外围部分接触，

其中，所述保护层具有0.02μm至5μm的厚度，以及

其中，所述第一缓冲层具有比所述保护层的厚度薄的厚度或者具有在1μm至10μm的范围内的厚度，

其中，所述保护层设置在所述第二导电半导体层和所述粘附层之间，

其中，所述保护层与所述第二导电半导体层的下表面接触，

其中，所述保护层与所述粘附层的顶表面的一部分和所述第一缓冲层的顶表面的一部分接触，以及

其中，所述保护层的顶表面的外部在沟道区域处暴露给外面。

3.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；

电极，所述电极被布置在所述第一导电半导体层上；

反射层，所述反射层在所述第二导电半导体层的下表面之下；

粘附层，所述粘附层被布置在所述反射层之下；

保护层，所述保护层被布置在所述第二导电半导体层的下表面的周围；以及

第一缓冲层，所述第一缓冲层被布置在所述保护层的下表面之下；

沟道区域，所述沟道区域是所述发光器件的外围部分并且位于所述发光结构的外部，

其中，所述第一缓冲层被布置在所述保护层和所述粘附层之间，

其中，所述第一缓冲层包括金属材料，

其中，所述保护层的顶表面的内部与所述第二导电半导体层的下表面的外围部分接触，

其中，所述反射层与所述第二导电半导体层的下表面接触，

其中，所述反射层被延伸到所述保护层的下表面或者所述第一缓冲层的下表面中的至少一个，

其中，所述保护层设置在所述第二导电半导体层和所述粘附层之间，

其中，所述保护层与所述第二导电半导体层的下表面接触，

其中，所述保护层与所述第一缓冲层的顶表面的一部分接触，以及

其中，所述保护层的顶表面的外部在沟道区域处暴露给外面。