[发明专利]一种提高光学邻近效应修正模型精度的方法在审
| 申请号： | 201410076758.3 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103777460A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 卢意飞 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高光学邻近效应修正模型精度的方法，包括：在晶圆上进行采样，得到一组量测数据值；对量测数据值进行处理，过滤掉不可信的采样点的量测数据；基于处理过的量测数据值建立初始OPC模型，计算每个采样点的模型数据值的原始残余误差；利用原始残余误差的平方值或立方值得到修正后的残余误差均方根；利用修正后的残余误差均方根引导算法进行光学系统的模拟，从而得到修正后的OPC模型。本发明的方法，利用修正后的残余误差均方根来引导算法对光学系统做出有效的模拟，在模拟过程中有效地减小了模型整体的残余误差，从而提高了修正后的OPC模型的精度，并进一步提高了光刻工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 光学 邻近 效应 修正 模型 精度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高光学邻近效应修正模型精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：在晶圆上进行采样，得到一组量测数据值；步骤S02：对所述量测数据值进行处理，过滤掉不可信的采样点的量测数据；步骤S03：基于所述处理过的量测数据值建立初始OPC模型，计算每个采样点的模型数据值的原始残余误差；步骤S04：利用所述原始残余误差的平方值或立方值得到所述修正后的残余误差均方根；步骤S05：利用所述修正后的残余误差均方根引导算法进行光学系统的模拟，从而得到修正后的OPC模型。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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