[发明专利]一种提高光学邻近效应修正模型精度的方法在审
申请号: | 201410076758.3 | 申请日: | 2014-03-04 |
公开(公告)号: | CN103777460A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 卢意飞 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 光学 邻近 效应 修正 模型 精度 方法 | ||
1.一种提高光学邻近效应修正模型精度的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S01:在晶圆上进行采样,得到一组量测数据值;
步骤S02:对所述量测数据值进行处理,过滤掉不可信的采样点的量测数据;
步骤S03:基于所述处理过的量测数据值建立初始OPC模型,计算每个采样点的模型数据值的原始残余误差;
步骤S04:利用所述原始残余误差的平方值或立方值得到所述修正后的残余误差均方根;
步骤S05:利用所述修正后的残余误差均方根引导算法进行光学系统的模拟,从而得到修正后的OPC模型。
2.根据权利要求1所述的提高光学邻近效应修正模型精度的方法,其特征在于,所述步骤S04中,利用所述原始残余误差的平方值得到修正后的残余误差均方根时,采用以下公式:M=[(MRE12)2+(MRE2)2+…+(MREn2)2]1/2,其中,MRE1、MRE2、…、MREn分别表示第1个采样点、第2个采样点、…、第n个采样点的所述原始残余误差,M表示所述修正后的残余误差均方根。
3.根据权利要求1所述的提高光学邻近效应修正模型精度的方法,其特征在于,所述步骤S04中,利用所述原始残余误差的立方值得到修正后的残余误差均方根时,采用以下公式:M=[(MRE13)2+(MRE3)2+…+(MREn3)2]1/2,其中,MRE1、MRE2、…、MREn分别表示第1个采样点、第2个采样点、…、第n个采样点的所述原始残余误差,M表示所述修正后的残余误差均方根。
4.根据权利要求1所述的提高光学邻近效应修正模型精度的方法,其特征在于,所述在晶圆上进行采样的图形同时包括若干一维图形和若干二维图形。
5.根据权利要求4所述的提高光学邻近效应修正模型精度的方法,其特征在于,所述一维图形和所述二维图形包括若干种不同的特征图形。
6.根据权利要求1所述的提高光学邻近效应修正模型精度的方法,其特征在于,所述步骤S02包括:对同一图形的几个不同的重复单元位置进行多次量测后求平均值,并去除多次量测过程中波动较大的采样点的量测数据,以及去除明显小于设计规则尺寸的采样点的量测数据。
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