[发明专利]双引线框架多芯片共同封装体的制造方法无效
申请号: | 201410073160.9 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN103996628A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 刘凯;石磊;鲁军;安荷·叭剌 | 申请(专利权)人: | 万国半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种双引线框架多芯片共同封装体及其制造方法,包括两个引线框架;多个芯片,多个芯片包括第一芯片、第二芯片及第三芯片;第一芯片设置在第一引线框架上,第二芯片及第三芯片共同设置在第二个引线框架上,第三芯片为旁路电容;两个连接片,分别为顶部连接片和立体连接片,顶部连接片连接第二芯片的顶部接触区及第一引线框架的外部引脚,并且顶部连接片同时连接第三芯片的顶部接触区。本发明简化了多框架多芯片的封装制成工艺,降低了芯片之间的电阻和电感,并且在封装中集成了一个旁路电容,降低了封装过程中的寄生电感,从而提高了整个器件的能量转换效率,并且减小了半导体封装的尺寸,此外,本发明工艺操作简单,制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 引线 框架 芯片 共同 封装 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种双引线框架多芯片共同封装体的封装制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:提供一个第一引线框架,所述第一引线框架包括第一芯片座及多个外部引脚;步骤2:提供多个芯片,多个芯片包括第一芯片、第二芯片及第三芯片,将第一芯片及第三芯片设置在第一芯片座上,所述多个芯片都分别包含底部接触区及顶部接触区,将第一芯片及第三芯片的底部接触区与第一芯片座电学连接;步骤3:提供一个第二引线框架,所述第二引线框架包括第二芯片座,通过多个引线连接第一芯片的顶部接触区与第二芯片座;步骤4:将第二芯片设置在第二芯片座上,并将所述第二芯片与所述第二芯片座电学连接;步骤5:提供一个顶部连接片,并将顶部连接片连接第二芯片的顶部接触区及第一引线框架的外部引脚,并且所述顶部连接片同时连接第三芯片的顶部接触区;步骤6:第一芯片和第二芯片的顶部接触区包括一个栅接触区,第一芯片和第二芯片的栅接触区分别与第一引线框架的外部引脚连接;步骤7:清洗引线框架,用塑封体封装引线框架、连接片及芯片,仅露出部分引线框架的外部引脚,电镀引脚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体有限公司,未经万国半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410073160.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造