[发明专利]双引线框架多芯片共同封装体的制造方法无效

专利信息
申请号: 201410073160.9 申请日: 2010-04-16
公开(公告)号: CN103996628A 公开(公告)日: 2014-08-20
发明(设计)人: 刘凯;石磊;鲁军;安荷·叭剌 申请(专利权)人: 万国半导体有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 美国加利福尼亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种双引线框架多芯片共同封装体及其制造方法,包括两个引线框架;多个芯片,多个芯片包括第一芯片、第二芯片及第三芯片;第一芯片设置在第一引线框架上,第二芯片及第三芯片共同设置在第二个引线框架上,第三芯片为旁路电容;两个连接片,分别为顶部连接片和立体连接片,顶部连接片连接第二芯片的顶部接触区及第一引线框架的外部引脚,并且顶部连接片同时连接第三芯片的顶部接触区。本发明简化了多框架多芯片的封装制成工艺,降低了芯片之间的电阻和电感,并且在封装中集成了一个旁路电容,降低了封装过程中的寄生电感,从而提高了整个器件的能量转换效率,并且减小了半导体封装的尺寸,此外,本发明工艺操作简单,制造成本低。
搜索关键词: 引线 框架 芯片 共同 封装 制造 方法
【主权项】:
一种双引线框架多芯片共同封装体的封装制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:提供一个第一引线框架,所述第一引线框架包括第一芯片座及多个外部引脚;步骤2:提供多个芯片,多个芯片包括第一芯片、第二芯片及第三芯片,将第一芯片及第三芯片设置在第一芯片座上,所述多个芯片都分别包含底部接触区及顶部接触区,将第一芯片及第三芯片的底部接触区与第一芯片座电学连接;步骤3:提供一个第二引线框架,所述第二引线框架包括第二芯片座,通过多个引线连接第一芯片的顶部接触区与第二芯片座;步骤4:将第二芯片设置在第二芯片座上,并将所述第二芯片与所述第二芯片座电学连接;步骤5:提供一个顶部连接片,并将顶部连接片连接第二芯片的顶部接触区及第一引线框架的外部引脚,并且所述顶部连接片同时连接第三芯片的顶部接触区;步骤6:第一芯片和第二芯片的顶部接触区包括一个栅接触区,第一芯片和第二芯片的栅接触区分别与第一引线框架的外部引脚连接;步骤7:清洗引线框架,用塑封体封装引线框架、连接片及芯片,仅露出部分引线框架的外部引脚,电镀引脚。
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