[发明专利]双引线框架多芯片共同封装体的制造方法无效
| 申请号: | 201410073160.9 | 申请日: | 2010-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN103996628A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
| 发明(设计)人: | 刘凯;石磊;鲁军;安荷·叭剌 | 申请(专利权)人: | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
| 地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 引线 框架 芯片 共同 封装 制造 方法 | ||
1.一种双引线框架多芯片共同封装体的封装制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:提供一个第一引线框架,所述第一引线框架包括第一芯片座及多个外部引脚;
步骤2:提供多个芯片,多个芯片包括第一芯片、第二芯片及第三芯片,将第一芯片及第三芯片设置在第一芯片座上,所述多个芯片都分别包含底部接触区及顶部接触区,将第一芯片及第三芯片的底部接触区与第一芯片座电学连接;
步骤3:提供一个第二引线框架,所述第二引线框架包括第二芯片座,通过多个引线连接第一芯片的顶部接触区与第二芯片座;
步骤4:将第二芯片设置在第二芯片座上,并将所述第二芯片与所述第二芯片座电学连接;
步骤5:提供一个顶部连接片,并将顶部连接片连接第二芯片的顶部接触区及第一引线框架的外部引脚,并且所述顶部连接片同时连接第三芯片的顶部接触区;
步骤6:第一芯片和第二芯片的顶部接触区包括一个栅接触区,第一芯片和第二芯片的栅接触区分别与第一引线框架的外部引脚连接;
步骤7:清洗引线框架,用塑封体封装引线框架、连接片及芯片,仅露出部分引线框架的外部引脚,电镀引脚。
2.根据权利要求1所述的双引线框架多芯片共同封装体的封装制作方法,其特征在于,在步骤6中还包括以下步骤:
a)在第一芯片的栅极、第二芯片的栅极上回流焊料球形成凸点;
b)用引线分别连接第一芯片和第二芯片上的栅接触区与第一引线框架的外部引脚。
3.根据权利要求1所述的双引线框架多芯片共同封装体的封装制作方法,其特征在于,所述第一引线框架和第二引线框架为一个整体框架。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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