[发明专利]提升ITO层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构

摘要

本发明提供一种提升ITO层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构，所述方法应用于显示器件的阳极制作工艺中，包括：提供一预设有ITO区域的半导体结构；在位于所述ITO区域的半导体结构的上表面制备一ITO层；对所述ITO层进行预热后，于该ITO层的表面制备氧化石墨烯薄膜。所述阳极结构包括一具有ITO层的衬底结构，且该ITO层的上表面覆盖有一层氧化石墨烯。本发明方法通过在普通的ITO层上制备一层氧化石墨烯，形成新的阳极结构，使得ITO层的功函数增加，提升了空穴的注入效率，降低了驱动电压，进而能够增加显示器件的稳定性和使用寿命。

主权项

一种提升ITO空穴注入效率的方法，应用于显示器件的阳极制作工艺中，所述方法包括：提供一预设有ITO区域的半导体结构；在位于所述ITO区域的半导体结构的上表面制备一ITO层；对所述ITO层进行预热；于该ITO层的表面制备氧化石墨烯薄膜。