[发明专利]提升ITO层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构

权利要求书

1.一种提升ITO空穴注入效率的方法，应用于显示器件的阳极制作工艺中，所述方法包括：

提供一预设有ITO区域的半导体结构；

在位于所述ITO区域的半导体结构的上表面制备一ITO层；

对所述ITO层进行预热；

于该ITO层的表面制备氧化石墨烯薄膜。

2.如权利要求1所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，通过以下步骤形成所述ITO层：

制备一层ITO薄膜覆盖所述半导体结构的上表面；

制备光刻胶覆盖所述ITO薄膜的上表面；

对所述光刻胶进行曝光、显影工艺后，刻蚀所述ITO薄膜形成所述ITO层。

3.如权利要求2所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，在黄光环境下形成所述ITO层。

4.如权利要求1所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，在制备所述氧化石墨烯薄膜之前，对所述ITO层进行清洗。

5.如权利要求4所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，采用氧气等离子体工艺对所述ITO层进行清洗。

6.如权利要求4所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，采用UV-臭氧工艺对所述ITO层进行清洗。

7.如权利要求1所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯为多个单层薄膜组成的复合结构层；

其中，每个所述单层薄膜的厚度为0.55nm～1.5nm。

8.如权利要求1所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，采用直流磁控溅射工艺制备所述氧化石墨烯，其功率为10～40W/cm。

9.如权利要求1所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，在惰性气体或者其与氮气的混合气体的氛围中制备所述氧化石墨烯。

10.如权利要求9所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，所述氛围的气压环境为1×10^-3～1×10^-2torr。

11.如权利要求9所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，所述惰性气体包括氦气、氩气、氖气、氪气、氙气中的任意一种或它们之间的组合。

12.如权利要求1所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其特征在于，对所述ITO层进行预热的温度应控制在50～300℃。

13.一种显示器件的阳极结构，其特征在于，所述阳极结构包括一具有ITO层的衬底结构，且该ITO层的上表面覆盖有一层氧化石墨烯。

14.如权利要求13所述的ITO层结构，其特征在于，所述氧化石墨烯由多个单层薄膜构成，每个该单层薄膜的厚度为0.55～1.5nm。