[发明专利]提升ITO层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示器件结构及其性能改进方法，尤其涉及一种提升ITO层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构。

背景技术

氧化铟锡（Indium tin oxide，简称：ITO）由于其性质相当稳定，且导电性能好，还具有透光的特点，因此非常适合用于作为显示器件中的阳极导电材料，被广泛应用于OLED中。

由于氧化铟锡的功函数仅有4.5eV～4.8eV左右，低于大部分空穴传输材料的最高占据分子轨道（Highest occupied molecule orbital，简称：HOMO）能阶。另外，ITO层表面如有碳氢化合物污染，会进一步造成其功函数的下降。

对于解决上述问题，目前业界普遍采用的措施是通过在ITO层沉积后，采用O2等离子体或UV-臭氧对该ITO层表面进行处理，经过处理后ITO层表面的功函数升高至仅5eV。但是，这一数值仍然低于大部分电洞传输材料的HOMO能阶约0.4eV。

中国专利（CN1781342A）公开了一种由氮等离子体处理的ITO膜的制备方法，包括使用氮等离子体处理ITO膜的表面等步骤。

通过该专利的方法虽然可以在一定程度上提高ITO层的功函数，但是提高的幅度有限，并不能达到大部分空穴传输材料的HOMO能阶。

中国专利（CN102167523B）公开了一种紫外光照射改性ITO玻璃基板的方法，包括以下步骤：1）清洗ITO玻璃基板，并将ITO玻璃基板正面朝上放于紫外光灯中，照射1～30min；2）按照体积比配制OTS-甲苯溶液，将照射好的ITO玻璃基板放入配置溶液中浸泡1s～40min，取出丙酮清洗后，烘干；3）ITO玻璃基板正面朝上再次置于紫外光等内进行照射1～50min，得到表面完全亲水的功能化ITO玻璃基板。

该专利通过紫外线照射的方法来提高ITO层的功函数，其提高的程度也十分有限，达不到大部分空穴传输材料的HOMO能阶。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种提升ITO层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构。

本发明解决技术问题所采用的技术方案为：

一种提升ITO空穴注入效率的方法，应用于显示器件的阳极制作工艺中，其中，所述方法包括：

提供一预设有ITO区域的半导体结构；

在位于所述ITO区域的半导体结构的上表面制备一ITO层；

对所述ITO层进行预热后，于该ITO层的表面制备氧化石墨烯薄膜。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，通过以下步骤形成所述ITO层：

制备一层ITO薄膜覆盖所述半导体结构的上表面；

制备光刻胶覆盖所述ITO薄膜的上表面；

对所述光刻胶进行曝光、显影工艺后，刻蚀所述ITO薄膜形成所述ITO层。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，在黄光环境下形成所述ITO层。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，在制备所述氧化石墨烯薄膜之前，对所述ITO层进行清洗。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，采用氧气等离子体工艺对所述ITO层进行清洗。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，采用UV-臭氧工艺对所述ITO层进行清洗。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，所述氧化石墨烯为多个单层薄膜组成的复合结构层；

其中，每个所述单层薄膜的厚度为0.55nm～1.5nm。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，采用直流磁控溅射工艺制备所述氧化石墨烯，其功率为10～40W/cm。

所述的改善ITO空穴注入效率的方法，其中，在惰性气体或者其与氮气的混合气体的氛围中制备所述氧化石墨烯。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，所述氛围的气压环境为1×10^-3～1×10^-2torr。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，所述惰性气体包括氦气、氩气、氖气、氪气、氙气中的任意一种或它们之间的组合。

所述的提升ITO空穴注入效率的方法，其中，对所述ITO层进行预热的温度应控制在50～300℃。

一种显示器件的阳极结构，其中，所述阳极结构包括一具有ITO层的衬底结构，且该ITO层的上表面覆盖有一层氧化石墨烯。

所述的ITO层结构，其中，所述氧化石墨烯由多个单层薄膜构成，每个该单层薄膜的厚度为0.55～1.5nm。