[发明专利]溅射装置有效
| 申请号： | 201410069193.6 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104342622B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 崔丞镐;尹大相;全瑛芬 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种溅射装置和使用该溅射装置形成薄膜的方法。溅射装置包括：室，包括沉积空间，在沉积空间中，设置有基板并执行与基板相关的沉积工序；柱状目标单元，定位在室中并被设置为面对基板；防护单元，围绕柱状目标单元以暴露柱状目标单元的外表面的一部分；外部磁体元件，设置在防护单元外部以平行于所述柱状目标单元。根据以上装置和方法，可有效地执行薄膜形成工序并可容易地改善沉积膜的性质。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
【主权项】：
1.溅射装置，包括：室，包括沉积空间，在所述沉积空间中设置有基板并且执行与所述基板相关的沉积工序；柱状目标单元，位于所述室中并设置为面对所述基板；防护单元，围绕所述柱状目标单元以暴露所述柱状目标单元的外表面的一部分；以及外部磁体元件，设置在所述防护单元外侧以平行于所述柱状目标单元，其中所述柱状目标单元与所述防护单元之间的距离小于所述柱状目标单元或所述防护单元的离子鞘层的厚度。
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