[发明专利]溅射装置

说明书

提供了一种溅射装置和使用该溅射装置形成薄膜的方法。溅射装置包括：室，包括沉积空间，在沉积空间中，设置有基板并执行与基板相关的沉积工序；柱状目标单元，定位在室中并被设置为面对基板；防护单元，围绕柱状目标单元以暴露柱状目标单元的外表面的一部分；外部磁体元件，设置在防护单元外部以平行于所述柱状目标单元。根据以上装置和方法，可有效地执行薄膜形成工序并可容易地改善沉积膜的性质。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年7月24日提交给韩国知识产权局的第10-2013-0087601号韩国专利申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的一个或多个实施方式涉及溅射装置和通过使用该溅射装置形成薄膜的方法。更具体地，本发明涉及能够有效执行薄膜形成工序并容易地改善沉积膜性质的溅射装置和使用该溅射装置形成薄膜的方法。

背景技术

半导体设备、显示装置、以及其它电子设备包括多个薄膜。存在多种形成多个薄膜的方法。气相沉积方法为其中之一。

沉积方法包括，例如，溅射、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、以及其它各种方法。

另一方面，在显示装置之中，有机发光显示（OLED）装置不仅具有宽视角和出色的对比度，而且响应快速，这使其作为下一代显示装置而备受关注。

OLED装置分别包括中间层，中间层包括位于彼此面对的第一电极与第二电极之间的有机发光层，除此之外，OLED装置还包括一个或多个各种薄膜。在这种情况下，为了形成OLED装置的薄膜，可使用溅射工序。

在这种溅射工序中，等离子体放电出现在目标与基板之间。困难的是提高等离子体放电性质的一致性。

具体地，随着有机发光显示装置的变大并且高分辨率是必需的，需要包括在有机发光显示装置中的薄膜的一致性质。然而，由于难以在使用溅射工序形成薄膜时维持等离子体放电性质，形成具有期望性质的薄膜存在限制。

发明内容

本发明的一个或多个实施方式包括溅射装置以及使用该溅射装置形成薄膜的方法，该溅射装置能够有效地执行薄膜形成工序并容易地改善沉积膜的性质。

其它方面将在下面的说明书中部分地陈述并且将通过描述变得显而易见，或可通过所呈现的实施方式的实践来学习。

根据本发明的一个或多个实施方式，溅射装置，包括：室，包括沉积空间，在沉积空间中设置有基板并执行与基板相关的沉积工序；定位在室中并被设置为面对基板的柱状目标单元；围绕柱状目标单元以暴露柱状目标单元的外表面的一部分的防护单元；设置在防护单元外侧以平行于柱状目标单元的外部磁体元件。

柱状目标单元可用作阴极，防护单元可用作阳极。

基板和室可处于浮动状态。

柱状目标单元可包括彼此平行的第一目标部分和第二目标部分。

第一目标部分和第二目标部分可作为阴极，防护单元可作为阳极，基板可处于浮动状态。

第一目标部分可作为阴极，第二目标部分可作为阳极。

基板和防护单元可处于浮动状态。

防护单元可围绕第一目标部分和第二目标部分以暴露第一目标部分的外表面的一部分和第二目标部分的外表面的一部分。

柱状目标单元与防护单元之间的距离可小于柱状目标单元或防护单元的离子鞘层的厚度。

外部磁体元件可包括设置在柱状目标单元两侧的第一外部磁体元件和第二外部磁体元件。

柱状目标单元中可设置有平行于外部磁体元件的内部磁体元件。