[发明专利]溅射装置

权利要求书

1.溅射装置，包括：

室，包括沉积空间，在所述沉积空间中设置有基板并且执行与所述基板相关的沉积工序；

柱状目标单元，位于所述室中并设置为面对所述基板；

防护单元，围绕所述柱状目标单元以暴露所述柱状目标单元的外表面的一部分；以及

外部磁体元件，设置在所述防护单元外侧以平行于所述柱状目标单元，

其中所述柱状目标单元与所述防护单元之间的距离小于所述柱状目标单元或所述防护单元的离子鞘层的厚度。

2.如权利要求1所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元作为阴极，所述防护单元作为阳极。

3.如权利要求2所述的溅射装置，其中所述基板和所述室处于浮动状态。

4.如权利要求1所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元包括彼此平行的第一目标部分和第二目标部分。

5.如权利要求4所述的溅射装置，其中所述第一目标部分和所述第二目标部分作为阴极，所述防护单元作为阳极，所述基板处于浮动状态。

6.如权利要求4所述的溅射装置，其中所述第一目标部分作为阴极，所述第二目标部分作为阳极。

7.如权利要求6所述的溅射装置，其中所述基板和所述防护单元处于浮动状态。

8.如权利要求4所述的溅射装置，其中所述防护单元围绕所述第一目标部分和所述第二目标部分，以暴露所述第一目标部分的外表面的一部分和所述第二目标部分的外表面的一部分。

9.如权利要求1所述的溅射装置，其中所述外部磁体元件包括设置在所述柱状目标单元两侧的第一外部磁体元件和第二外部磁体元件。

10.如权利要求1所述的溅射装置，其中在所述柱状目标单元中设置有平行于所述外部磁体元件的内部磁体元件。

11.如权利要求10所述的溅射装置，其中所述内部磁体元件包括第一内部磁体元件和定位在所述第一内部磁体元件两侧的一对第二内部磁体元件。

12.如权利要求1所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元形成为呈中空柱形，在所述柱状目标单元中设置有支承所述柱状目标单元的支持板。

13.溅射装置，包括：

室，包括沉积空间，在所述沉积空间中设置有基板并执行关于所述基板的沉积工序；

柱状目标单元，位于所述室中并被设置为面对所述基板；

防护单元，围绕所述柱状目标单元以暴露所述柱状目标单元的外表面的一部分；

外部磁体元件，设置在所述防护单元外侧，以平行于所述柱状目标单元，

其中所述柱状目标单元在面对所述基板的区域处被暴露，并且所述柱状目标单元与所述防护单元之间的距离小于所述柱状目标单元或所述防护单元的离子鞘层的厚度。

14.如权利要求13所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元作为阴极，所述防护单元作为阳极，所述基板处于浮动状态。

15.如权利要求13所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元包括彼此平行的第一目标部分和第二目标部分。

16.如权利要求15所述的溅射装置，其中所述防护单元围绕所述第一目标部分和所述第二目标部分，以暴露所述第一目标部分的外表面的一部分和所述第二目标部分的外表面的一部分。

17.如权利要求16所述的溅射装置，其中所述外部磁体元件包括第一外部磁体元件和第二外部磁体元件，其中所述第一外部磁体元件设置在所述第一目标部分一侧，所述第二外部磁体元件设置在所述第二目标部分的与所述第一目标部分的所述一侧相反的一侧。