[发明专利]半导体器件及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201410066965.0 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104064590B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 今纯一;中田义弘;牧山刚三 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,吴鹏章 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有包括衬底、形成在衬底的主平面的一部分之上的第一绝缘膜、形成在第一绝缘膜的表面之上的导电部分、以及第二绝缘膜的结构的半导体器件，其中第二绝缘膜覆盖衬底的主平面、第一绝缘膜和导电部分，并且第二绝缘膜的耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性。第一绝缘膜置于衬底与导电部分之间以防止寄生电容的产生。第一绝缘膜用耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性的第二绝缘膜覆盖。第二绝缘膜防止第一绝缘膜吸收水分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述衬底的第一平面的一部分之上，其中所述第一绝缘膜为固体并且具有到达所述第一平面的开口部分；第一导电部分，所述第一导电部分形成在所述第一绝缘膜的顶部之上和形成在所述开口部分中，其中所述第一导电部分的侧部与所述绝缘膜的侧部在同一平面中；以及第二绝缘膜，所述第二绝缘膜覆盖所述第一平面、所述第一绝缘膜和所述第一导电部分，并且所述第二绝缘膜的耐湿性高于所述第一绝缘膜的耐湿性。
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