[发明专利]半导体器件及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述衬底的第一平面的一部分之上，其中所述第一绝缘膜为固体并且具有到达所述第一平面的开口部分；

第一导电部分，所述第一导电部分形成在所述第一绝缘膜的顶部之上和形成在所述开口部分中，其中所述第一导电部分的侧部与所述绝缘膜的侧部在同一平面中；以及

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜覆盖所述第一平面、所述第一绝缘膜和所述第一导电部分，并且所述第二绝缘膜的耐湿性高于所述第一绝缘膜的耐湿性。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一绝缘膜为多孔绝缘膜。

3.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底的第一平面的一部分之上形成第一绝缘膜，其中所述第一绝缘膜为固体并且具有到达所述第一平面的开口部分；

在所述第一绝缘膜的顶部之上和在所述开口部分中形成第一导电部分，使得所述第一导电部分的侧部与所述绝缘膜的侧部在同一平面中；以及

形成第二绝缘膜，所述第二绝缘膜覆盖所述第一平面、所述第一绝缘膜和所述第一导电部分，并且所述第二绝缘膜的耐湿性高于所述第一绝缘膜的耐湿性。

4.根据权利要求3所述的半导体器件制造方法，其中形成所述第一绝缘膜包括：

制备抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物包含含有树脂的溶剂，所述树脂通过在酸或碱的存在下使含烷氧基的化合物水解和缩合而得到，所述含烷氧基的化合物具有键合到硅原子或锗原子的烷氧基，并且所述抗蚀剂组合物的用能量束辐照的部分不溶于显影剂；

将所制备的抗蚀剂组合物形成在所述衬底的所述第一平面之上；

用所述能量束辐照所形成的抗蚀剂组合物的与所述一部分对应的区域；以及

通过使用所述显影剂将所述抗蚀剂组合物的未使用能量束辐照的部分从所述衬底之上移除。

5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其中：

所述含烷氧基的化合物通过下式表示

R¹_4-nM(OR²)_n (1)

其中M为硅原子或锗原子，n为1至4的整数，R¹为氢原子或氟原子、或具有一个至八个碳原子的烷基、乙烯基、脂环基或芳基或者其衍生物，在n小于或等于2时，R¹彼此相同或不同，R²为氢原子、或具有一个至八个碳原子的烷基、芳基、乙烯基或脂环基，并且在n大于或等于2时，R²彼此相同或不同；以及

所述树脂通过所述含烷氧基的化合物中的至少一种化合物水解和缩合得到。

6.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其中所述衍生物包含芳基。

7.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其中所述衍生物具有酯键或醚键。

8.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，包含在所制备的抗蚀剂组合物中的所述溶剂包含酸性化合物或碱性化合物。