[发明专利]一次编程存储器及其相关存储单元结构有效
| 申请号： | 201410066858.8 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104778977B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 林崇荣 | 申请（专利权）人： | 林崇荣 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 赵根喜,李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一次编程存储器及其相关存储单元结构，所述编程存储器包括一第一存储单元与一第二存储单元。其中，第一存储单元中包括一第一储存晶体管，第二存储单元中包括一第二储存晶体管。第一储存晶体管中的栅极结构与第二储存晶体管中的栅极结构之间的距离很短，并且其间隙壁彼此重叠。如此，可以制造出高容量的一次编程存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 编程 存储器 及其 相关 存储 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种一次编程存储器，包括：一第一型区域，该第一型区域的一表面有一第一第二型掺杂区域、一第二第二型掺杂区域、一第三第二型掺杂区域与一第四第二型掺杂区域；一第一栅极结构，形成于该第一第二型掺杂区域与该第二第二型掺杂区域之间的该表面上方；一第二栅极结构；一第三栅极结构，形成于该第三第二型掺杂区域与该第四第二型掺杂区域之间的该表面上方；一第四栅极结构；其中该第二栅极结构与该第四栅极结构形成于该第二第二型掺杂区域与该第四第二型掺杂区域之间的该表面上方；其中，该第一型区域、该第一第二型掺杂区域、该第二第二型掺杂区域与该第一栅极结构形成一第一存储单元中的一第一开关晶体管；该第一型区域、该第二第二型掺杂区域与该第二栅极结构形成该第一存储单元中的一第一储存晶体管；该第一型区域、该第三第二型掺杂区域、该第四第二型掺杂区域与该第三栅极结构形成一第二存储单元中的一第二开关晶体管；该第一型区域、该第四第二型掺杂区域与该第四栅极结构形成该第二存储单元中的一第二储存晶体管；以及其中，该第二第二型掺杂区域与该第四第二型掺杂区域之间的该表面下方为一第一型半导体。
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